俞慧强
- 作品数：35 被引量：60H指数：4
- 供职机构：南京大学现代分析中心更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法
- 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH<Sub>3</Sub>和H...
- 张荣修向前俞慧强陈琳谢自力郑有炓顾书林江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- 富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响
- 2013年
- 采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表明InGaN与GaN均具有单晶C向的六方纤锌矿结构,利用衍射角度计算出InxGa1-xN薄膜的合金In组分x范围为0.34≤x≤1。室温下拉曼散射光谱测量发现,该系列InxGa1-xN合金的A1(LO)与E2(high)声子模峰位随着In组分x的增加均向低波速移动,并且峰位随组分的关系满足单模模式的变化规律。变温(93～673K)测量的拉曼散射光谱显示,InGaN的A1(LO)模峰位随着测量温度的升高向低波速非线性地偏移,该现象是由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应共同作用引起的。
- 李烨操胡海楠刘斌张荣滕龙庄喆谢自力陈敦军郑有炓陈强俞慧强
- 关键词：INGAN拉曼散射声子模温度
- 用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷被引量：1
- 2001年
- 研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .
- 周玉刚沈波刘杰周慧梅俞慧强张荣施毅郑有炓
- 关键词：极化电荷场效应晶体管调制掺杂
- Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
- 2009年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
- 葛瑞萍韩平吴军王荣华俞斐赵红俞慧强谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积生长温度
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在...
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
- 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N<Sub>2</Sub>管道和NH<Sub>3</Sub>管道、设有金属镓源-HCl-N<Sub>...
- 于英仪张荣修向前谢自力俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- 用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究被引量：11
- 2007年
- 利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0
- 谢自力张荣修向前韩平刘斌陈琳俞慧强江若琏施毅郑有炓
- 关键词：ALGANDBR紫外探测器MOCVD
- 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
- 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善...
- 张荣修向前汪峰于英仪谢自力俞慧强李斌斌顾书林沈波江若琏施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
- 文献传递
- 一种氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
- 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N<Sub>2</Sub>管道和NH<Sub>3</Sub>管道、设有金属镓源-HCl-N<S...
- 于英仪张荣修向前谢自力俞慧强郑有炓施毅沈波顾书林江若琏韩平朱顺明胡立群叶宇达
- 文献传递
- 4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
- 2008年
- 用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。
- 俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
