勾宪芳
- 作品数：16 被引量：29H指数：4
- 供职机构：北京太阳能研究所有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 一种制备单晶硅绒面的方法
- 本发明涉及一种制备单晶硅绒面的方法，它包括以下步骤：1)在75℃～85℃恒温槽内配制包括碱溶液、硅酸钠和异丙醇的碱腐蚀溶液，其中，碱溶液的体积百分比为1％～2.5％，硅酸钠的质量百分比为0.1％～2％，异丙醇的质量百分比...
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- 多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研究
- 用PECVD法通过改变[NH3]/[SiH4:N2]流量比沉积了SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了研究,并获得了沉积氮化硅后硅片高寿命,高折射...
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- 关键词：多晶硅太阳电池等离子体化学气相沉积氮化硅薄膜
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- 一种背接触太阳能电池的制备技术
- 本发明涉及一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法。选择P型或N型晶体硅硅片为衬底，经常规清洗和表面织构化后，在硅片的背表面淀积掺杂源。然后利用激光对欲形成掺杂区的区域进行加热，使掺杂源中的杂质扩散进入硅片中。而没有激光加热...
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- 快速热处理对氮化硅薄膜影响的研究
- 在氢气氛中对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱及晶向的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.
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- 关键词：氮化硅薄膜化学气相沉积法折射率
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- 一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
- 本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至8...
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- 背接触硅太阳电池研究进展被引量：10
- 2008年
- 高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。
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- 关键词：背接触硅太阳电池少子寿命接触电极
- 一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
- 本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至8...
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- SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
- 2006年
- 采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。
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- 关键词：多晶硅
- 多晶硅太阳电池中氧碳行为和氮化硅的钝化及减反射的研究
- 太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径。多晶硅太阳电池是未来最有发展潜力的太阳电池之一。如何改善多晶硅电池衬底材料的性能,提高转换效率,已成为该研究领域的热点课题。为此本文重点研究了多晶硅片在电池制造热工艺中氧碳的行...
- 勾宪芳
- 关键词：多晶硅氧沉淀少子寿命氮化硅薄膜
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- 一种区熔再结晶设备
- 本实用新型涉及一种区熔再结晶设备，它包括一带有滑道的实验台，实验台上设置有可滑动支架，支架的顶部固定连接一工作台，支架的底座穿设有一端带有螺纹一转轴，转轴的另一端上设置有一计数器，转轴连接到一马达的输出端；计数器并联连接...
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