许颖
- 作品数：80 被引量：231H指数：9
- 供职机构：北京太阳能研究所有限公司更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理电子电信金属学及工艺更多>>
- 陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜研究
- 本文采用陶瓷硅作为衬底材料,用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜。对薄膜的SEM表面形貌进行分析表明:薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底状况有关,高温下可以沉积得到大晶粒且致密的薄膜。应用Scherrer公式估算了薄膜的晶粒尺...
- 廖华林理彬刘祖明李景天刘强陈庭金许颖
- 关键词：多晶硅薄膜性能分析
- 文献传递
- A1_xGa_（1－x）As／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能
- 1996年
- 运用不同的液相外延（ＬＰＥ）生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，我们所获得太阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，ｌｓｕｎ条件下为２３．１７％。
- 李标向贤碧许颖费雪英
- 关键词：太阳能电池液相外延砷化镓
- TiO_2薄膜光催化用于空气灭菌净化被引量：9
- 2004年
- 用抛光铝合金作衬底在平行孪生靶的磁控溅射设备中制备出二氧化钛薄膜,薄膜厚度为500nm,XRD测量表明二氧化钛薄膜为锐钛矿型(anatase)。该薄膜在紫外光源照射下,对甲苯、苯、二氧化硫及香烟气体有良好的降解作用;对大肠杆菌、金黄色葡萄糖菌有良好的去除作用。
- 万悦方晓东李永良王文静许颖
- 关键词：磁控溅射二氧化钛薄膜锐钛矿光催化
- 多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研究
- 用PECVD法通过改变[NH3]/[SiH4:N2]流量比沉积了SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了研究,并获得了沉积氮化硅后硅片高寿命,高折射...
- 勾宪芳马丽芬许颖励旭东王文静任丙彦
- 关键词：多晶硅太阳电池等离子体化学气相沉积氮化硅薄膜
- 文献传递
- 硅纳米线阵列的制备及其光伏应用被引量：14
- 2006年
- 采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅片表面可以制备出大面积排列整齐、与原始硅片取向一致的硅纳米线阵列,得到的硅纳米线单晶性好、轴向可控且掺杂浓度不受掺杂类型和晶向的影响。基于此,我们成功制备了大面积硅纳米线p-n结二极管阵列。此外,硅纳米线阵列结构具有优异的减反射性能,探索了其在太阳电池中的应用。目前初步研制出了基于硅纳米线阵列的新型太阳电池,获得了最高为9.23%电池效率。同时也研究了限制硅纳米线阵列太阳电池转换效率的主要因素,为以后的应用做了前期的探索工作。
- 吴茵胡崛隽许颖彭奎庆朱静
- 关键词：太阳电池
- 用RTCVD制备的晶硅薄膜太阳电池的转换效率达到15.12%
- ＜正＞在可再生能源中,光伏电池的研究开发的经费占居首位,太阳能光伏发电技术和产业正在腾飞,预测今后10年光伏组件的生产将以更高的递增速度发展,2010年将达到4600兆瓦/年.随着太阳电池成本的逐渐降低,太阳电池的应用将...
- 李仲明许颖于元莫春东
- 文献传递
- 用RTCVD制备的晶硅薄膜太阳电池的转换效率达到15.12﹪
- 报告了多晶硅薄膜电池组在非活性的重掺单晶硅衬底上生长硅薄膜并制备薄膜太阳电池的研究工作的新进展,电池最好转换率达到15.12℅.
- 李仲明许颖于元莫春东
- 关键词：硅太阳能电池化学气相沉积
- 非晶硅/晶体硅异质结HIT太阳电池研究
- 本文报道了具有低温薄膜工艺特点的非晶砖/晶体硅异质结HIT太阳电池的实验研究结果。电池结构采用TCO/n-a-Si:H/i-a-Si:H/p-c-Si/Al。选用ITO作减反射膜时,电池的开路电压较高,短路电流较小:而选...
- 胡志华王文静许颖赵秀玲夏朝凤刘祖明刁宏伟郝会颖廖显伯
- 多孔硅对多晶硅太阳电池中缺陷和杂质的吸除效应被引量：4
- 2004年
- 吸杂是减少硅中杂质和缺陷,提高多晶硅太阳电池效率的一种有效手段。本文比较了用三种吸杂方式对多晶硅进行处理的结果和影响:多孔硅吸杂,磷吸杂,多孔硅结合磷吸杂。三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。在此基础上研究了多孔硅吸杂的工艺,发现多孔硅吸杂的效果随退火的温度和时间影响比较大,在800℃氮气气氛下退火3h,多晶硅的少子寿命能由原来的1 4μs提高到25 6μs。相比之下,多孔硅吸杂工艺简单,更适合工业生产。
- 朱琳徐征许颖李海玲王文静
- 关键词：少子寿命多孔硅吸杂
- 氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究
- 2005年
- 采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高 质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到 的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短 路电流为200μA。
- 顾亚华许颖叶小琴李海峰万之坚周宏余
- 关键词：陶瓷晶向
