万之坚
- 作品数：30 被引量：15H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电气工程化学工程动力工程及工程热物理更多>>
- 碳化硅陶瓷衬底上制作多晶硅薄膜太阳电池的研究
- 在自行制备的富硅碳化硅陶瓷衬底上,采用热化学法快速沉积多晶硅薄膜。通过区熔再结晶手段使硅层晶粒长大,改善薄膜结构。热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池。电池表面采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备Si N减反...
- 万之坚黄勇李海峰张厚兴
- 关键词：太阳电池多晶硅薄膜碳化硅陶瓷
- 文献传递
- 陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究
- 不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学（RTCVD）方法生长,然后用区熔再结晶（ZMR）方法使籽晶层在高温下熔化并重新...
- 顾亚华许颖叶小琴王文静李海峰万之坚
- 关键词：陶瓷晶向颗粒尺寸
- 文献传递
- 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
- 本发明公开了属于太阳能电池零部件制备技术的工艺简单、行之有效的一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法。是把多晶硅粉碎成颗粒，先通过在陶瓷衬底表面种植一定密度籽晶后，采用RTCVD沉积技术来制备大晶粒多晶硅薄膜的。
- 黄勇李海峰张厚兴万之坚张立明马天
- 文献传递
- 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池工艺
- 为了大幅度降低成本,真正实现太阳能电池的大规模应用,设计出一种新颖的薄膜电池,即在廉价的陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜制作的太阳电池.本文介绍了制作这一电池的完整工艺流程,摸索出合适的工艺参数,解决了在异质衬底上生长大晶粒多晶...
- 万之坚李海峰黄勇张厚兴张立明许颖王文静
- 关键词：多晶硅薄膜电池薄膜太阳能电池
- 陶瓷衬底上薄膜电池的初步探索被引量：1
- 2006年
- 采用快速热化学气相沉积方法在氧化铝和氮化铝陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜及太阳电池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在经过区再结晶后增大且霍尔迁移率提高,但随后的薄膜生长发现薄膜出现裂纹,影响了电池的效率,在Al_2O_3衬底上得到196mV开路电压,1．93mA短路电流；在AIN衬底上得到310mV开路电压,5．31mA短路电流。
- 张宇翔许颖李海峰万之坚王文静
- 关键词：陶瓷多晶硅薄膜太阳电池
- SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
- 2006年
- 采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。
- 马丽芬许颖任丙彦勾宪芳王文静万之坚李海峰
- 关键词：多晶硅
- 氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究
- 2005年
- 采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高 质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到 的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短 路电流为200μA。
- 顾亚华许颖叶小琴李海峰万之坚周宏余
- 关键词：陶瓷晶向
- 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
- 本发明公开了属于太阳能电池零部件制备技术的工艺简单、行之有效的一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法。是把单晶硅粉碎成颗粒，先通过在陶瓷衬底表面种植一定密度籽晶后，采用RTCVD沉积技术来制备大晶粒多晶硅薄膜的。
- 黄勇李海峰张厚兴万之坚张立明马天
- 文献传递
- 快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响
- 2005年
- 选用Al2O3陶瓷作为衬底,采用快速热化学法沉积多晶硅薄膜.实验研究了温度对薄膜生长的影响,结果表明,硅层的沉积速率随着温度升高而加快,并逐渐趋向1个稳定值.晶粒尺寸也随着温度升高而增大,在温度达到1000℃后保持不变.在此硅薄膜上,采用磷扩散掺杂,制备出太阳能电池器件,并且分析了掺杂量对电池效果的影响.
- 万之坚李海峰黄勇张厚兴张立明许颖王文静
- 关键词：太阳电池多晶硅薄膜
- 陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响
- 2005年
- 通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.
- 李海峰黄勇万之坚张厚兴张立明许颖王文静
- 关键词：多晶硅薄膜太阳能电池
