卢殿通
- 作品数：19 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 离子注入SOI薄膜材料的制备及性能
- ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａ...
- 卢殿通王瑛
- 关键词：离子注入硅集成电路
- 文献传递网络资源链接
- SIMOX薄膜材料的电学性能
- 2000年
- 本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。
- 卢殿通P.L.F.Hemment
- 关键词：离子注入SIMOX电学性能
- SOI-SIMOX薄膜材料制备及性能
- Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）材料近年来的在国内外得到广泛的研究，ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路离实际应用已为期不远，作者利用离子注入制备出ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔａｔ...
- 卢殿通
- 关键词：性能分析硅绝缘材料
- 用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物
- 2001年
- 介绍了PIXE(质子激发X射线发射 )分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限 .用此分析技术 ,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定 .发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn ,Fe ,Cu等污染元素 .结果表明 ,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点 ,十分适合在这一领域的研究中应用 .
- 朱光华卢殿通汪新福周宏余
- 关键词：晶片污染物硅
- SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法被引量：2
- 2000年
- 报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 。
- 卢殿通P.L.F.Hemment
- 关键词：红外光谱薄膜厚度
- 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态被引量：1
- 2000年
- 用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南卢殿通
- 关键词：异质结碳硅
- SIMOX薄膜材料的电学性能研究
- 该文主要研究高剂量氧离子（１．８－２．５＊１０〈’１８〉Ｏ〈’＋〉／ｃｍ〈’２〉注入ｎ－Ｓｉ（１００），形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ...
- 卢殿通王瑛
- 关键词：硅单晶电学性能载流子迁移率
- 文献传递网络资源链接
- 用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布被引量：1
- 1983年
- 与注磷相比,五价的砷元素作为施主杂质注入半导体材料硅中,具有许多独特的优点:(1)固溶度高;(2)投影射程小,可以得到较浅的p-n结;(3)有可能通过人为控制,使砷扩散后的浓度分布趋于对发射极有利的矩形分布;(4)引起的损伤较浅。
- 王大椿朱光华卢殿通卢志恒郑胜男赵玉华
- 关键词：施主杂质退火温度离子注入
- 离子注入SOI薄膜材料的制备及性能
- Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅ...
- 卢殿通王瑛
- 关键词：离子注入硅集成电路
- 离子注入SOI-SIMOX薄膜的表面电学性能
- 卢殿通
- 关键词：离子注入
