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王瑛

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：北京市辐射中心更多>>
相关领域：电子电信核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇电路
  • 2篇电学性能
  • 2篇载流子
  • 2篇制备及性能
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇离子注入
  • 2篇膜材料
  • 2篇集成电路
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅集成电路
  • 2篇SIMOX
  • 1篇电子束
  • 1篇剂量学
  • 1篇交联
  • 1篇辐射交联

机构

  • 5篇北京市辐射中...
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 5篇王瑛
  • 4篇卢殿通
  • 1篇钱思敏
  • 1篇谢立青
  • 1篇谷洪春
  • 1篇顾永宝
  • 1篇李凤梅
  • 1篇刘晓光
  • 1篇张荫芬

传媒

  • 2篇第十一届全国...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇原子核物理评...

年份

  • 4篇1999
  • 1篇1997
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
电子束辐射加工研究进展被引量：7
1997年
综述了北京师范大学低能核物理所的ＢＦ－５电子直线加速器在辐射加工中的研究应用情况，着重介绍了在电子辐照硅功率器件，高分子聚合物的辐射改性以及辐射加工剂量学等方面的研究和开发进展．
谷洪春顾永宝蓝李桥李凤梅李凤梅刘晓光王瑛钱思敏张荫芬
关键词：电子束辐射交联剂量学
SIMOX薄膜材料的电学性能研究
该文主要研究高剂量氧离子（１．８－２．５＊１０〈’１８〉Ｏ〈’＋〉／ｃｍ〈’２〉注入ｎ－Ｓｉ（１００），形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ...
卢殿通王瑛
关键词：硅单晶电学性能载流子迁移率
文献传递网络资源链接
离子注入SOI薄膜材料的制备及性能
Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅ...
卢殿通王瑛
关键词：离子注入硅集成电路
离子注入SOI薄膜材料的制备及性能
ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａ...
卢殿通王瑛
关键词：离子注入硅集成电路
文献传递网络资源链接
SIMOX薄膜材料的电学性能研究
主要研究高剂量氧离子（１．８－２．５＊１０〈’１８〉Ｏ〈’＋〉／ｃｍ〈’２〉注入ｎ－Ｓｉ（１００），形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｐｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ...
卢殿通王瑛
关键词：硅单晶电学性能载流子迁移率
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