吴兴春
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学一般工业技术更多>>
- 含氦纳米晶钛膜的PBS和XRD研究被引量：3
- 2008年
- 为研究不同晶粒尺寸纳米钛膜的储氦行为,在He-Ar混合气体下,用磁控溅射方法沉积纳米晶钛膜,利用PBS(proton backscattering)、XRD(X-ray diffraction)对膜的氦含量和微观结构及晶粒大小进行了研究。结果表明:在其它实验参数不变的情况下,当沉积温度从60℃升至350℃时得到均匀分布的含氦量(指原子百分比)从38.6%逐渐降至9.2%的钛膜,其平均晶粒由13.1nm增加到44.2nm;当He/Ar分压比分别为6、10、15、19时得到均匀分布的含氦量分别为17.6%、47.2%、48.3%和38.6%的钛膜。He的引入引起(002)晶面衍射峰向小角度移动,但(100)晶面衍射峰不变,即晶胞参数c增加,a不变化;随膜中He含量的增加,衍射峰展宽,晶粒变小,显示出氦的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势。
- 庞洪超罗顺忠龙兴贵安竹刘宁段艳敏吴兴春彭述明杨本福王培禄宋应民郑思孝
- 闪烁探测器中子灵敏度高精度标定技术
- 2006年
- 叙述了探测器的14.1MeV中子灵敏度标定原理和方法,针对实验空间小,干扰大的特点,采取了有效的屏蔽措施,利用MCNP程序建模,优化设计出了对次级γ和散射中子屏蔽性能高的屏蔽体,实验研究表明:ST401、YaP:Ce、CeF3的信噪比分别达30∶1、11∶1、6.6∶1,比测点本身的信噪比提高了7倍,灵敏度标定精度提高了20%以上。
- 吴兴春李如荣彭太平张建华郭洪生
- 关键词：闪烁探测器中子灵敏度信噪比
- 磁控溅射沉积含He纳米晶钛膜制备
- 2007年
- 采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜。利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析。结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35 nm减小到约4 nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜。
- 宋应民罗顺忠龙兴贵彭述明安竹刘宁庞洪超段艳敏吴兴春杨本福郑思孝
- 关键词：磁控溅射平均晶粒尺寸
- 闪烁探测器中子相对光输出曲线标定技术
- 2006年
- 叙述了利用多道分析仪标定闪烁探测器光输出曲线的原理,用挡锥法消除了大厅散射中子和γ本底的影响,通过空靶(不含D和T)实验消除了靶头产生的γ的影响。实现了闪烁探测器中子光输出曲线的标定。
- 吴兴春李如荣彭太平张建华胡青元唐登攀
- 关键词：闪烁体
- 用增强质子背散射研究注氦纳米晶钛膜中氦的含量被引量：5
- 2005年
- 作者使用增强质子背散射方法,分析了几种Mo基体纳米钛膜中氦的保持量情况.结果表明:采用离子注入法注入的氦在纳米钛膜中能保存较长的时间,氦的释放速率受氦在钛膜及基体中的分布、钛膜中氦浓度大小的影响;Ar,He混合气体放电法工作参数的选择可影响渗氦的效率.
- 段艳敏刘慢天龙兴贵吴兴春罗顺忠刘东剑吴英郑思孝刘宁安竹
- 裂变靶室系统的中子灵敏度能量坪响应
- 裂变靶室系统由“真空靶室加U 裂变靶加大面积 PIN 探测器”组成。利用反应堆中子源,实验研究了U 裂变碎片在裂变靶材料及大面积 PIN 探测器(Φ60mm)中的平均沉积能量,得到了沉积能量随裂变靶面密度的变化;实验结果...
- 杨洪琼朱学彬彭太平杨建伦李波均王立宗吴兴春刘建杨军
- 聚变脉冲中子源特性的近距离测量方法被引量：1
- 2005年
- 介绍在近距离条件下,测量聚变脉冲中子源的时间谱、能谱和产额的一种方法-两测点解谱法,对该方法的局限性作了简要地讨论。
- 杨洪琼唐正元潘文明温树槐赵毓武马弛吴兴春杨建伦
- 关键词：脉冲中子源聚变能谱产额
