周洋
- 作品数：16 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京化工大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 一种带有表面微结构扩散板的连续加工方法
- 一种带有表面微结构扩散板的连续加工方法属于连续压印领域本发明在平板模具上设有微结构，当扩散板受压后，可将模具上的微结构精确复制到扩散板上，使光源通过此扩散板后均匀地散射开，即当光源进入扩散板后，可通过微结构的散射，使扩散...
- 吴大鸣周洋庄俭张亚军何晓祥
- 可控生成量子点或量子线的装置
- 本实用新型公开了一种可控生成量子点或量子线的装置，属于低维量子材料制备装置领域。该装置包括：容器、电源、第一电极和控制电极；其中，第一电极设置在容器内的上方，与设置在容器外的电源的正极电连接；控制电极活动设置在容器底面外...
- 武光明邢光建张志乾周洋
- 文献传递
- 液位沉降法制备AZO薄膜及其光电性能研究
- 2012年
- 以二水乙酸锌为原料，乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂，六水合氯化铝为掺杂剂，合成AZO前驱液，采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备AZO薄膜，用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，应用液位沉降法制备AZO薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、Al3＋／Zn2＋浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间10min、预处理温度450℃、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5cm／min、预处理时间为10min、550℃退火2h，得到薄膜透光率为88％，方块电阻为536Ω／□。
- 殷天兰高德文武光明丁尧周洋
- 关键词：AZO薄膜光电性能
- 注射超声喷雾热分解制备铌酸锂薄膜研究
- 本研究构思、设计、加工、组装了注射超声喷雾热分解制备薄膜装置,研究了装置制备薄膜的工艺.应用该方法分别在玻璃基片和硅片上面制备了铌酸锂薄膜,研究通过正交试验设计、接触角测试、扫描电镜、XRD、原子力显微镜等检测,测定了铌...
- 武光明周洋高德文颜炳佳
- 关键词：注射超声喷雾热分解
- 文献传递
- 超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜及其性能的研究被引量：1
- 2012年
- 以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、UV-Vis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有较高的吸收,可以获得较好的光电流。应用超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜的优化条件为:基板温度为300℃,络合剂比例为1∶2,酸度为9,喷雾速度为0.3mL/min,退火温度为350℃。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段,克服其雾化不均问题。
- 张志乾武光明高德文朱艳英曹阳周洋
- 关键词：CDSE薄膜超声波光电性能
- 一种基于科学试模的注塑工艺参数智能设定方法
- 本发明公开一种基于科学试模的注塑工艺参数智能设定方法，包括11步，首先，获取模具及产品信息；利用模流软件进行科学试模，获得产品成型工艺窗口；在工艺窗口内设定正交实验表，根据正交实验方案进行产品模流分析；获取模流结果数据集...
- 谢鹏程马艺涛王新铭周洋党开放丁玉梅杨卫民
- 喷雾热分解法制备ITO薄膜及其光电性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用自制的喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备ITO薄膜，并对实验条件进行了正交设计，以考察制备ITO薄膜的优良条件，结果表明，影响ITO薄膜光电性能的主要因素是基板温度。制备ITO薄膜的优化条件为：基板温度300℃，载气气流速度1L·min^-1，退火温度540℃，溶液配比为铟锡比10：1，喷嘴与基板距离8cm，薄膜沉积时间3．5min，相应的透光率为97％，方块电阻3875Ω／。
- 周洋武光明高德文邢光建朱艳英张志乾曹阳
- 关键词：喷雾热分解ITO薄膜光电性能
- 平行衬底纳米线阵列的可控制备方法
- 本发明公开了一种平行衬底纳米线阵列的可控制备方法，属于纳米线材料制备领域。该方法包括：在溶液中设置衬底，在衬底上方设置超声驻场波，超声驻场波的驻波节点面指向所述衬底；将制备纳米线的材料以纳米颗粒的形式在溶液中在超声驻场波...
- 武光明邢光建周洋
- 文献传递
- 可控生成量子点或量子线的方法
- 本发明公开了一种可控生成量子点或量子线的方法，属于低维量子材料制备领域。该方法包括：在溶解有量子点或量子线材料的溶液中设置生长量子点或量子线的衬底，在所述衬底底面设置与衬底下表面接触的电极；在所述溶液与所述电极之间施加电...
- 武光明邢光建张志乾周洋
- PECVD法制备非晶硅薄膜及光电性能研究
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。
- 曹阳武光明高德文张志乾周洋
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜光电性能
