张文静
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响被引量：7
- 2006年
- 基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置,如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的.本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极,获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管.能带结构的分析证明了接触电极的功函数在这种场效应管的输运机理中扮演了重要的角色,可以仅仅通过改变接触电极的材料,实现p型场效应管和n型场效应管之间的转换,这是经典的金属与半导体接触的理论无法解释的.
- 李萍剑张文静张琦锋吴锦雷
- 关键词：碳纳米管场效应管肖特基势垒功函数
- 基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管
- 随着信息科学技术的高速发展,特别是超高速运算和超高密度信息存储技术的需要,基于宽禁带半导体材料的电子器件已经成为科学家们研究的热点。继第三代半导体材料GaN之后,ZnO材料以其合适的禁带宽度,较高的激子束缚能,低廉的价格...
- 孙晖张琦锋张文静张俊艳沈昕孙明华王全邓天松吴锦雷
- 文献传递
- 基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路被引量：11
- 2007年
- 展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路,分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器,以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门.其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道,而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道,器件的源漏电极均为铂电极.
- 李萍剑张文静张琦锋吴锦雷
- 关键词：碳纳米管场效应管逻辑电路
- ZnO纳米线异质结的构建
- 纳米尺度的ZnO同质结发光器件正受到越来越多人的关注。一般我们生长得到的ZnO纳米线是n 型的,由于自补偿,低溶解度,深缺陷能级,结构双稳性等等原因使得ZnO的P型掺杂非常困难的。近几年来,很多小组已经利用I和V族元素作...
- 孙明华张琦锋孙晖张文静沈昕张俊艳邓天松王全吴锦雷
- 文献传递
- 多壁碳纳米管场效应管的双极性电学输运特性
- 自从1998年,第一次成功制备出碳纳米管场效应管(CNTFET),CNTFET的各方面的性能得到了广泛的研究。2001年,Avouris小组发现当采用更薄、更高介电常数的介质作为门电极和碳管间的绝缘层时,与原来单一特性C...
- 张文静张琦锋沈昕孙晖张俊艳王全孙明华邓天松吴锦雷
- 文献传递
