张连昌
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：文化科学电子电信更多>>
- 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法
- 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔体中，抽真空，基底升温到400-600℃，通入碳氢化合物气体以及其它惰性气体，控制气体的气压不超过1Torr；B)开启...
- 张广宇时东霞张连昌
- 纳米石墨烯的生长、表征、以及性质研究
- 系统地研究了在氧化硅衬底上纳米石墨烯的无催化剂直接生长.这种生长方式可以在相对较低的温度(大约550℃)下以甲烷气体作为碳源,采用远程等离子体增强化学气相沉积系统而实现.通过原子力显微镜,拉曼光谱,X射线光电子能谱,以及...
- 杨威时东霞张广宇何聪丽张连昌王毅史志文成蒙谢贵柏王多明杨蓉
- 关键词：NANOGRAPHENEREMOTEPLASMADEPOSITIONTUNNELINGSTRAIN
- 基于石墨烯/氧化物纳米间隙结构的多态存储在低成本非挥发存储器方面的应用
- 材料如石墨烯、碳纳米管、非晶碳,由于其独特的电学、力学、光学和其他新奇的物理特性,使其在未来纳米电子学器件领域可能有重要的应用前景.近几年,碳基材料被用来替代金属电极以开发高密度、高速度、低成本的RRAM器件.我们利用自...
- 何聪丽史志文张连昌杨威杨蓉时东霞张广宇
- 关键词：NANOGRAPHENERRAMNANOGAPMULTILEVELSWITCHING
- 一种异质外延生长石墨烯的方法
- 本发明提供一种异质外延生长石墨烯的方法，利用等离子体增强化学气相沉积法在单晶衬底上外延生长石墨烯，其中该单晶衬底的晶格与石墨烯的晶格相匹配。该异质外延生长石墨烯的方法可在低温下生长，不必采用催化剂，可形成晶格质量完美的外...
- 张广宇张连昌时东霞
- 文献传递
- 一种异质外延生长石墨烯的方法
- 本发明提供一种异质外延生长石墨烯的方法，利用等离子体增强化学气相沉积法在单晶衬底上外延生长石墨烯，其中该单晶衬底的晶格与石墨烯的晶格相匹配。该异质外延生长石墨烯的方法可在低温下生长，不必采用催化剂，可形成晶格质量完美的外...
- 张广宇张连昌时东霞
- 文献传递
- 一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法
- 本发明公开了一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法，以利用这种方法来实现石墨烯晶向定位、石墨烯的加工剪裁及图案化，该方法包括：采用含氢等离子体对石墨或石墨烯的表面进行各向异性刻蚀，在石墨或石墨烯表面形成多个规则的六角形...
- 张广宇时东霞杨蓉王毅张连昌
- 文献传递
- 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法
- 一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔体中，抽真空，基底升温到400-600℃，通入碳氢化合物气体以及其它惰性气体，控制气体的气压不超过1Torr；B)开启...
- 张广宇时东霞张连昌
- 文献传递
- 一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法
- 本发明公开了一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法，以利用这种方法来实现石墨烯晶向定位、石墨烯的加工剪裁及图案化，该方法包括：采用含氢等离子体对石墨或石墨烯的表面进行各向异性刻蚀，在石墨或石墨烯表面形成多个规则的六角形...
- 张广宇时东霞杨蓉王毅张连昌
- 增加一层重掺杂层来减小硅纳米线接触电阻
- 米线做为一维的半导体材料,在纳米电子以及光电子器件方面具有广泛的应用,随着器件尺寸降低,金属与半导体接触电阻影响更加明显,接触电阻的存在影响了器件的整体性能,因此减小接触电阻是很必要的.
- 刘冬华时东霞张广宇史志文张连昌何聪丽张菁成蒙杨蓉田学增白雪冬
- 关键词：CARRIERFIELD-EFFECTTRANSISTORS
- 一种石墨烯纳米图案的加工方法
- 本发明提供一种石墨烯纳米图案的加工方法，包括：在石墨烯上形成人工缺陷；用含氢等离子体对该石墨烯进行各向异性刻蚀。本发明提供的方法能够可控地加工出纳米级的石墨烯结构，精度可达到十纳米以下，且能够得到具有原子级平整的zigz...
- 张广宇时东霞史志文张连昌杨蓉
- 文献传递
