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朱珊珊

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:天津理工大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇磁性
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁性研究
  • 3篇X
  • 2篇导体
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇ZN
  • 2篇CR
  • 2篇磁控共溅射
  • 1篇氧化锌
  • 1篇声表面波
  • 1篇结构性能
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石薄膜
  • 1篇溅射法

机构

  • 6篇天津理工大学

作者

  • 6篇朱珊珊
  • 3篇陈希明
  • 2篇肖琦
  • 1篇付长凤
  • 1篇吴小国
  • 1篇杨保和
  • 1篇程强
  • 1篇李杰
  • 1篇李伟

传媒

  • 3篇天津理工大学...
  • 1篇光电子.激光

年份

  • 4篇2010
  • 2篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Cr掺杂ZnO薄膜的制备及磁性机制研究被引量:1
2009年
采用磁控交替溅射方法以及真空退火处理制备了Zn1-xCrxO薄膜,采用X射线衍射、X射线光电子能谱、物理性质测量仪对样品的结构、表面形态以及磁学性质进行了测试与分析.测试结果表明所有掺杂样品在室温下均具有微弱的铁磁性,并初步给出了其磁性机制.
李杰朱珊珊陈希明程强付长凤
关键词:稀磁半导体氧化锌磁控溅射法
磁控共溅射法制备Zn_(1-x)Cr_xO薄膜及其结构性能
2010年
本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜,通过改变Cr溅射功率,从而改变Cr的掺杂量.介绍了Zn1-xCrxO薄膜的制备方法,分别用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构,成份、元素含量及价态等性能进行了分析.结果表明,Cr溅射功率为20 W的样品,具有最好的c轴择优取向,Cr以+3价形式掺入薄膜中,Cr3+替代了部分Zn2+.
朱珊珊陈希明肖琦吴小国
关键词:磁控共溅射
共溅射法制备Zn<sub>1-x</sub>Cr<sub>x</sub>O薄膜及磁性研究
当今是一个信息飞速发展的时代,人们对信息传输、处理和存储机制的要求也越来越高。自旋电子学充分利用了电子的自旋和电荷两个特性同时进行信息的处理和存储,这必将给当今以及未来的信息技术带来巨大的变革。稀磁半导体兼具磁性和半导体...
朱珊珊
磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性被引量:2
2010年
采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。
肖琦杨保和朱珊珊
磁控共溅射法制备Cr:ZnO薄膜的磁性研究
2010年
本文采用磁控共溅射法在玻璃衬底上制备了Cr:ZnO薄膜,利用XRD、XPS、PPMS测试手段对制备的样品进行表征,结果表明:Cr以Cr3+离子形式掺入ZnO晶格,没有发现第二相.所有样品均呈现室温铁磁性,且具有磁各向异性,表明铁磁性是其内在固有的.
李伟朱珊珊陈希明
关键词:铁磁性
共溅射法制备Zn<,1-x>Cr<,x>O薄膜及磁性研究
当今是一个信息飞速发展的时代,人们对信息传输、处理和存储机制的要求也越来越高。自旋电子学充分利用了电子的自旋和电荷两个特性同时进行信息的处理和存储,这必将给当今以及未来的信息技术带来巨大的变革。稀磁半导体兼具磁性和半导体...
朱珊珊
关键词:稀磁半导体半导体薄膜磁控共溅射
文献传递
共1页<1>
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