李丽莎
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：教育部更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响被引量：2
- 2015年
- 在传统蓝宝石衬底(CSS)和图形化蓝宝石衬底(PSS)上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管(LEDs),测试并比较了这两种不同衬底器件的电流与发光特性。结果表明,与CSS-LED相比,PSS-LED在-4V处的反向漏电流降低了两个数量级,峰值波长基本不随电流增大而发生显著蓝移,半高宽、输出功率与外量子效率等发光性能也获得明显改善。PSS-LED反向漏电流的减小主要归功于外延层中位错密度的降低,发光性能的改善主要是因为PSS减少了光在LED内部的全反射,提高了光的析出率;PSS-LED的外量子效率随电流下降的行为(droop)并未明显改善,表明位错可能不是引起效率droop的主要原因。
- 李丽莎闫大为管婕杨国锋王福学肖少庆顾晓峰
- 关键词：氮化镓基发光二极管光学特性
- 原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
- 2013年
- 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
- 闫大为李丽莎焦晋平黄红娟任舰顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
