王福学
- 作品数：33 被引量：24H指数：3
- 供职机构：无锡职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 一种移动式新能源汽车充电桩
- 一种移动式新能源汽车充电桩，包括充电桩本体，所述充电桩本体的两侧均安装有折叠式盖板，所述折叠式盖板内侧设有移动式线长调节装置，折叠式盖板内侧上端设有充电枪，所述充电桩本体上设有第一滑槽，所述第一滑槽内设有枪头，所述枪头可...
- 卢志强张美娟王福学高娜娜路晓丽林佳燕陈晟闽
- 文献传递
- 校企合作提高本科教育质量的探索——以微电子学科为例被引量：3
- 2014年
- 校企合作对提高微电子学科本科教育教学质量起着重要的作用。根据目前该专业在教学、实践和科研中存在的问题,提出从"学研结合"、"在职人员互聘"、"共建实验室"三个方面着手,培养高层次的微电子专业创新型人才。
- 王福学虞致国肖少庆闫大为
- 关键词：校企合作教学模式
- 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
- 2006年
- 以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征。结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰。
- 刘亦安薛成山庄惠照张晓凯田德恒吴玉新孙莉莉艾玉杰王福学
- 关键词：溶胶-凝胶法氨化
- 氮化铟粉末在N_2气中的热稳定性(英文)被引量：1
- 2007年
- 用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N_2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N_2;一部分InN粉末转变成In_2O_3粉末。
- 王福学薛成山庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽杨兆柱
- 关键词：热稳定性N2IN2O3
- 天线状ZnO纳米结构的光致发光特性及其生长机理
- 2014年
- 利用简单的碳热蒸发法在Si(100)衬底上成功制备了天线状的氧化锌纳米材料,并利用X光衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对样品进行了结构表征和光致发光特性研究。实验结果表明:制备的单晶氧化锌材料具有纤锌矿结构,并且沿着[0001]方向择优生长;每个纳米结构有4个针足,每个针足的顶部直径约为5-50nm;室温光致发光谱中包含1个386nm附近的较强的近紫外发光峰和1个523nm附近的较弱的绿色发光峰,分别由自由激子复合和深能级发射引起。同时讨论了天线状的氧化锌纳米材料在高温低氧条件下的生长机理。
- 蔡小龙王福学闫大为顾晓峰
- 关键词：氧化锌光致发光
- 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
- 2007年
- 通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm^400 nm左右,其长度可达5μm^20μm。
- 孙莉莉薛成山孙传伟艾玉杰庄惠照王福学
- 关键词：GAN磁控溅射
- 氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜被引量：2
- 2007年
- 研究了Ga2O3/In膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。
- 王福学薛成山庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽杨兆柱李红
- 关键词：GAN氨化磁控溅射
- 回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
- 2014年
- 在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
- 王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
- 关键词：氧化锌纳米棒光致发光
- 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。
- 吴玉新薛成山庄惠照田德恒刘亦安孙莉莉王福学艾玉杰
- 关键词：磁控溅射氨化光致发光
- 氮化铟粉末的热稳定性(英文)
- 2007年
- 用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In_2O_3。
- 王福学薛成山庄惠照艾玉杰孙丽丽杨兆柱张晓凯
- 关键词：热稳定性INNIN2O3
