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庄惠照

作品数：99 被引量：149H指数：6
供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省科委基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 84篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 4篇科技成果
  • 3篇会议论文

领域

  • 68篇电子电信
  • 21篇一般工业技术
  • 11篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 44篇溅射
  • 43篇磁控
  • 39篇磁控溅射
  • 35篇纳米
  • 31篇氨化
  • 22篇纳米线
  • 21篇GAN
  • 21篇GAN纳米线
  • 20篇GA
  • 19篇发光
  • 15篇氮化镓
  • 13篇纳米棒
  • 13篇光致
  • 13篇光致发光
  • 13篇GAN薄膜
  • 12篇射频磁控
  • 12篇射频磁控溅射
  • 10篇氨化SI基
  • 10篇ZNO
  • 9篇发光特性

机构

  • 99篇山东师范大学
  • 6篇济南大学
  • 3篇山东大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇山东理工大学

作者

  • 99篇庄惠照
  • 95篇薛成山
  • 18篇王福学
  • 18篇艾玉杰
  • 17篇何建廷
  • 16篇田德恒
  • 15篇王书运
  • 15篇吴玉新
  • 14篇孙莉莉
  • 13篇刘亦安
  • 13篇陈金华
  • 13篇杨兆柱
  • 13篇李红
  • 13篇高海永
  • 12篇秦丽霞
  • 11篇董志华
  • 11篇张晓凯
  • 9篇薛守斌
  • 8篇李玉国
  • 8篇王显明

传媒

  • 17篇功能材料
  • 14篇稀有金属材料...
  • 8篇微纳电子技术
  • 6篇Journa...
  • 6篇电子元件与材...
  • 5篇物理化学学报
  • 5篇微细加工技术
  • 5篇山东师范大学...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇半导体光电
  • 2篇纳米技术与精...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇理化检验（物...
  • 1篇山东科学
  • 1篇微电子技术
  • 1篇德州学院学报
  • 1篇中国科学（G...

年份

  • 5篇2010
  • 6篇2009
  • 14篇2008
  • 12篇2007
  • 14篇2006
  • 13篇2005
  • 12篇2004
  • 1篇2003
  • 7篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
  • 3篇1990
  • 1篇1987
  • 1篇1986
共 99 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)被引量：2
2010年
基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.
郭永福薛成山石锋庄惠照刘文军孙海波曹玉萍
关键词：纳米线GAN光学特性钯催化
RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒被引量：2
2005年
利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。
胡丽君庄惠照高海永何建廷薛守斌薛成山
关键词：射频磁控溅射氨化
高温氨化合成GaN微晶
2006年
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。
刘亦安薛成山庄惠照何建廷吴玉新田德恒孙莉莉艾玉杰王福学
关键词：氨化
VISI系统结构金属焊料研究
薛成山庄惠照李怀祥王显明李玉国
该研究是我国超大规模集成电路技术生产中需要解决的关键技术，具有显著的效益。
关键词：
关键词：焊料集成电路
磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性被引量：1
2008年
使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。
薛成山陈金华庄惠照秦丽霞李红杨兆柱王邹平
关键词：氮化镓溅射纳米棒单晶
氨化Ga_2O_3/Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究(英文)
2009年
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900°C下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50 nm,纳米线的长约几个微米。室温下以325 nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰。最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
庄惠照李保理王德晓申加兵张士英薛成山
关键词：纳米线氨化GAN
复合纳米钝化保护材料的研究
庄惠照薛成山张晓凯何建廷薛守斌
该研究创新性的以有机聚合物为母体，加入无机纳米粒子ZnO、SiO_2为填充材料。研究制备的复合纳米钝化保护材料，它既有聚合物材料的韧性和易加工性，又具有纳米材料的刚性和特别性能。以纳米材料充分的分散在有机聚合物基体中，保...
关键词：
关键词：钝化保护材料
氮化法制备氮化锌粉末的结构和光致发光性质
2004年
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.
宗福建马洪磊薛成山庄惠照张锡建马瑾计峰肖洪地王书运
关键词：光致发光
台面半导体器件玻璃钝化工艺
一种台面半导体器件玻璃钝化工艺，属于台面半导体器件生产工艺的一部分。该工艺利用加硝酸铝为电解质的电泳法在台阶状PN结台面沟槽内涂敷玻璃粉和在通入纯氧的烧结炉中熔烧玻璃粉的方法，做出的玻璃钝化层表面光洁，内里无气泡，厚度均...
薛成山赵富贤田淑芬刘瑞兰庄惠照
文献传递
氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜被引量：5
2005年
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。
魏芹芹薛成山孙振翠曹文田庄惠照
关键词：GAN氮化磁控溅射
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