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李伟华

作品数：25 被引量：99H指数：6
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇虚拟仪器
  • 5篇低频噪声
  • 5篇氧化层
  • 4篇基于虚拟仪器
  • 3篇电子器件
  • 3篇氧化层陷阱
  • 3篇红外
  • 3篇红外发光二极...
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 3篇GAALAS
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电迁移
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声测试
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇频响
  • 2篇频响分析

机构

  • 19篇西安电子科技...
  • 5篇教育部

作者

  • 24篇李伟华
  • 20篇庄奕琪
  • 19篇包军林
  • 17篇杜磊
  • 7篇马仲发
  • 5篇万长兴
  • 4篇马中发
  • 3篇鲍立
  • 2篇尹泽
  • 2篇李聪
  • 1篇陈建平
  • 1篇何亮
  • 1篇张鹏
  • 1篇张传丰
  • 1篇胡为
  • 1篇闫家铭
  • 1篇陈文豪
  • 1篇杜磊
  • 1篇胡瑾
  • 1篇肖昱

传媒

  • 4篇物理学报
  • 4篇西安电子科技...
  • 3篇电子器件
  • 2篇仪器仪表学报
  • 1篇电子科技
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇电子质量
  • 1篇微电子学
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型被引量：18
2005年
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 .
包军林庄奕琪杜磊李伟华万长兴张萍
关键词：氧化层陷阱半导体载流子
基于虚拟仪器的频响分析系统
频响分析作为一种系统分析方法有着广泛的用途。介绍了一种基于虚拟仪器的频响分析系统。相对于传统的频响分析仪,它具有性能价格比高、功能覆盖面广、系统可升级性好等优点。
李伟华庄奕琪包军林尹泽
关键词：频响分析虚拟仪器
文献传递
VLSI金属互连电迁移可靠性评估技术研究被引量：1
2002年
　在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的噪声评估技术。通过实验数据和结果的对比分析,证明噪声方法不仅可行,而且有着其他传统方法不可比拟的优越性,具有极好的应用前景。
薛丽君杜磊庄奕琪鲍立李伟华马中发
关键词：VLSI金属互连电迁移噪声测试
基于LabView的SiO_2抗辐射能力无损评价系统
2010年
基于MOS器件中SiO2介质材料噪声灵敏表征技术,提出了SiO2介质材料抗辐射能力无损评价方法。结合噪声测试的经验及该模型为理论分析要求,使用LabView平台开发SiO2介质材料抗辐射无损评价系统。本系统由数据采集和数据分析两个部分组成,数据采集部分主要负责噪声时间序列与频谱的采集与保存,数据分析部分的主要功能为时间序和频谱的特征值分析及SiO2介质材料抗辐射能力分析与相应器件的筛选。实验结果表明,软件性能可靠,对MOSFETT抗辐射能力的评价准确。
张传丰杜磊李伟华包军林闫家铭
关键词：LABVIEW抗辐射
电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法被引量：1
2009年
基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析,表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号,并可以用该方法进行有效区分.研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据.
李伟华庄奕琪杜磊包军林马中发
关键词：时间序列分析高阶统计量
金属互连电迁移噪声的多尺度熵复杂度分析被引量：12
2008年
针对传统频域方法用于分析金属铝互连中的噪声信号的局限性,本文采用多尺度熵方法分析电迁移噪声时间序列.结果表明在电迁移早期,噪声信号较不规律,复杂度较大;随空洞成核的发生,噪声信号规律性增强,复杂度明显减小,反映出随电迁移过程的进行系统的混乱度不断减小.通过与传统表征参量的对比,证明多尺度熵能够对电迁移失效过程进行表征.
何亮杜磊庄奕琪李伟华陈建平
关键词：电迁移噪声复杂度
MOSFET辐照损伤1/f噪声产生机制的定量鉴别方法
2011年
用小波极大模统计参量研究了MOSFET器件辐照损伤低频噪声的时间序列.将辐照前后实验测量的低频噪声信号与数值模型产生的噪声信号统计特性相比较,发现nMOSFET和pMOSFET的低频噪声小波极大模统计结果均与随机电报噪声叠加模型数值信号的统计特性相接近.辐照前nMOSFET和pMOSFET的统计结果很接近,以致无法区分;辐照后两种器件的小波极大模分布出现明显差异.根据小波极大模统计量判断,随机电报噪声叠加是nMOSFET和pMOSFET低频噪声的主导产生机制,辐照并没有在器件中引入新的缺陷类型,而是使原有缺陷浓度增大,散射增强,辐照引起的nMOSFET损伤比pMOSFET严重.
李伟华杜磊包军林马中发
关键词：MOSFET辐照损伤小波分析
n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
2009年
基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件;在器件的强反型线性区,其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET噪声的非高斯性作了深入的探讨.
李伟华庄奕琪杜磊包军林
关键词：噪声氧化层陷阱
电阻浆料低频噪声测试技术
研究了电阻浆料低频噪声的种类、产生机制及其与可靠性之间关系.在详细分析电阻浆料低频噪声表征参量的基础上,提出了基于噪声功率谱密度的电阻浆料电流噪声指数测试方法,构建了用于准确表征电阻浆料可靠性性的新噪声参量及其测试分析方...
包军林庄奕琪杜磊陈文豪胡为李伟华
关键词：片式电阻器电阻浆料
文献传递
GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响被引量：3
2006年
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪
关键词：红外发光二极管
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