杜磊
- 作品数：133 被引量：324H指数：12
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型被引量：18
- 2005年
- 对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 .
- 包军林庄奕琪杜磊李伟华万长兴张萍
- 关键词：氧化层陷阱半导体载流子
- 纳米器件电流噪声的散射理论统一模型研究被引量：3
- 2011年
- 传统散射理论在研究器件噪声特性时,并没有考虑非相干输运和库仑作用对散粒噪声的抑制,而在实际纳米器件中这两种效应不可忽略.本文基于散射区等效接触端模型推导了考虑上述两种效应的电流噪声散射理论统一模型,该模型适用于从相干输运到非相干输运的整个输运区,并同时考虑了泡利不相容原理和库仑作用对散粒噪声的抑制.本文也提出了一种基于统一模型的电流噪声数值模拟方法,该方法所得散射区特性与散射区等效接触端模型特性一致.
- 唐冬和杜磊王婷岚陈华贾晓菲
- 关键词：散射理论
- 镍铬薄膜电阻器噪声特性研究被引量：2
- 2006年
- 薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。
- 吴勇杜磊庄奕琪魏文彦仵建平
- 关键词：电子技术低频噪声G-R噪声噪声来源电迁移
- MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究被引量：15
- 2007年
- 基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型.
- 李瑞珉杜磊庄奕琪包军林
- 关键词：辐照效应
- 多芯片系统可靠性技术被引量：4
- 1999年
- 在对电子产品可靠性技术的最新发展趋势进行了展望之后， 对多芯片系统的可靠性技术作了较全面的评述。
- 杨克武杜磊庄奕琪
- 关键词：可靠性电子产品
- MOSFET栅漏电流噪声模型研究
- 2009年
- 随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理。在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围。
- 赖忠有杜磊
- 关键词：栅介质噪声模型
- Rashba自旋轨道耦合作用下电荷流散粒噪声与自旋极化的关系研究被引量：1
- 2009年
- 根据存在自旋轨道耦合时基于散射理论的电流表达式和散粒噪声表达式,并利用自旋密度矩阵推导出沿自旋量子化坐标的自旋极化率表达式.解析计算了单通道的情况,发现自旋极化率和电荷流散粒噪声无关.由于多通道解析推导的困难,使用非平衡格林函数技巧,数值计算了包含自旋轨道耦合效应的纯净二维电子气的多通道情况.分别改变偏压、自旋轨道耦合系数、导体长度,研究了这三种不同条件下的自旋极化率与电荷流散粒噪声Fano因子的相关性.两者的相关性表明,相关性定量关系的建立可能为自旋极化的全电学检测提供新思路.
- 陈华杜磊庄奕琪牛文娟
- 关键词：散粒噪声自旋极化RASHBA自旋轨道耦合散射矩阵
- VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计
- 2009年
- 文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元。经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警。
- 曹鹏辉杜磊包军林张婧婧陈晓东阎家铭
- 关键词：DC/DC转换器VDMOS器件
- 基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法被引量：2
- 2014年
- 薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。
- 吴勇马中发杜磊何亮
- 关键词：低频噪声电迁移可靠性
- 混合集成光电耦合器噪声特性研究
- 光电耦合器件作为光电混合器件比一股分立器件结构复杂,其内部噪声的种类较多, 在低频时主要表现为1/f噪声,高频时主要表现为散粒噪声。本文在介绍光电耦合器件工作原理的基础上,从理论上分析了1/f噪声产生机理。设计了噪声测量...
- 胡瑾杜磊包军林周江庄奕琪
- 关键词：光电耦合器件LED光敏三极管G-R噪声可靠性
- 文献传递
