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李凤辉

作品数:12 被引量:40H指数:4
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域:金属学及工艺化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇金属
  • 7篇金属间化合物
  • 5篇热循环
  • 5篇SNAGCU
  • 4篇时效
  • 4篇CU
  • 3篇损耗
  • 3篇钎料
  • 3篇无铅钎料
  • 3篇磁芯
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁干扰
  • 2篇对接接头
  • 2篇软磁
  • 2篇时效过程
  • 2篇涡流
  • 2篇涡流损耗
  • 2篇接头
  • 2篇焊点
  • 2篇IMC

机构

  • 12篇北京工业大学

作者

  • 12篇李凤辉
  • 6篇李晓延
  • 4篇王群
  • 4篇严永长
  • 2篇李永卿
  • 2篇肖慧
  • 2篇郭红霞
  • 1篇唐章宏

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇材料工程
  • 1篇失效分析与预...
  • 1篇2006上海...
  • 1篇第十一届北京...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MnZn铁氧体/FeSiAl粉末复合体磁芯的制备及其高频EMI抑制性能
2010年
介绍了MnZn铁氧体/FeSiAl粉末复合体磁芯的设计思路和制备过程,并研究了复合体磁芯的高频EMI抑制性能。首先分析了两种材料的高频EMI的抑制机理并完成了复合体磁芯制备工艺的设计,然后介绍了MnZn铁氧体/FeSiAl复合体磁芯的制备过程,详细分析了复合体磁芯的Fe-SiAl粉末氧化膜包覆和内部相间反应的关键工艺,并对不同工艺制备的磁芯磁损耗性能进行对比测试和分析。试验结果表明:FeSiAl粉末通过氧化膜包覆工艺后烧结成型制备磁芯高频EMI抑制性能较好,在频率范围为1~1.8GHz磁导率虚部都保持了较高的数值(平均值9.98),最高值达13.33;另外通过氧化膜包覆工艺处理后FeSiAl粉末和MnZn铁氧体混合,通过粘接压制方法制备的复合体磁芯,综合了两种材料的优点,高频EMI抑制性能较好(平均值8.64),而通过烧结制备的复合体磁芯,由于内部相间反应不易控制,造成EMI抑制性能下降。
李凤辉王群唐章宏
关键词:MNZN铁氧体磁芯
SnAgCu//Cu界面金属间化合物长大规律
由于铅及含铅化合物对人体和坏境的危害和立法的需要,钎料无铅化已成为电子封装连接材料的发展趋势。目前开发的无铅钎料成分大多数以Sn为基,另外添加一些无毒元素如Ag, Zn, Cu, Bi, In等作为合金化的元素。而在无铅...
李凤辉
关键词:无铅钎料SN-AG-CU金属间化合物热循环
文献传递
Sendust软磁材料磁芯制备新工艺研究
2009年
主要采用Sendust合金粉末氧化包覆的方法,使得粉末表面形成了新的成分,达到粉末彼此绝缘的目的,然后再通过模压成型,制备出信号线滤波器件,经测量100 MHz~1.8 GHz频段平均复磁导率虚部可达6.9,与传统Sendust合金粉末制备磁芯的工艺相比其高频和宽频EMI抑制性能得到了显著提高,克服了Sendust合金粉末和有机物共混粘结成型的工艺路线的缺点,制定了新的工艺路线。
李凤辉王群
SnAgCu无铅钎料对接接头时效过程中IMC的生长
无铅钎料和铜基板间金属间化合物(Intermetallic Compounds,IMC)的生长对元器件的可靠性有重要影响.使用Sn3.8Ag0.7Cu无铅钎料焊接Cu对接接头,并对对接头进行了125、150和175℃时效...
李凤辉李晓延严永长
关键词:无铅钎料金属间化合物抗拉强度
文献传递
SnAgCu无铅钎料对接接头时效过程中IMC的生长被引量:14
2007年
无铅钎料和铜基板间金属间化合物(Intermetallic Compounds,IMC)的生长对元器件的可靠性有重要影响.使用Sn3.8Ag0.7Cu无铅钎料焊接Cu对接接头,并对对接头进行了125、150和175℃时效试验,时效时间分别为0、24、72、144、256、400 h.采用金相显微镜、扫描电镜(SEM)和能谱X射线(EDX)观察了Sn3.8Ag0.7Cu/Cu界面IMC的生长及形貌变化,并对Sn3.8Ag0.7Cu/Cu界面扩散常数和生长激活能进行了拟合.此外,研究了时效对钎焊接头抗拉强度的影响,发现在时效条件下接头的抗拉强度呈先上升后下降的变化,且时效会对断裂形式造成影响.
李凤辉李晓延严永长
关键词:无铅钎料金属间化合物时效
热循环条件下SnAgCu/Cu焊点金属间化合物生长及焊点失效行为
研究了热循环过程中SnAgCu/Cu焊点界面金属间化合物的生长规律及焊点疲劳失效行为.提出了热循环条件下金属间化合物生长的等效方程以及焊点界面区不均匀体模型,并用有限元模拟的方法分析了热循环条件下焊点界面区的应力应变场分...
肖慧李晓延李凤辉
关键词:金属间化合物热循环可靠性分析
Sendust软磁合金材料磁损耗研究及器件的制备
本文研究了Sendust软磁合金复合材料在动态场和高频下涡流损耗、磁滞损耗等的主要机理,侧重报道Sendust软磁合佥材料的磁损耗理论和实验工艺研究相结合所作的工作,并介绍了用于EMI抑制的Sendust软磁复合材料元器...
李凤辉王群郭红霞李永卿
关键词:磁损耗涡流损耗磁滞损耗
文献传递
热循环条件下SnAgCu/Cu焊点金属间化合物生长及焊点失效行为被引量:11
2010年
研究了热循环过程中SnAgCu/Cu焊点界面金属间化合物的生长规律及焊点疲劳失效行为。提出了热循环条件下金属间化合物生长的等效方程以及焊点界面区不均匀体模型,并用有限元模拟的方法分析了热循环条件下焊点界面区的应力应变场分布及焊点失效模式。研究结果表明:低温极限较低的热循环,对应焊点的寿命较低。焊点的失效表现为钎料与金属间化合物的界面失效,且金属间化合物厚度越大,焊点中的累加塑性功密度越大,焊点越容易失效。
肖慧李晓延李凤辉
关键词:金属间化合物热循环有限元
热循环及时效条件下SnAgCu/Cu界面化合物的生长行为
对两种热循环及等温时效条件下 SnAgCu/Cu 界面上金属间化合物的生长行为进行了研究。结果表明,随着循环周期的增加,界面 IMC 的厚度增加,且-40~125℃循环下 IMC 生长速度快于-25℃~125℃循环。与时...
李凤辉李晓延严永长
关键词:热循环时效金属间化合物
文献传递
Sendust软磁合金材料磁损耗研究及器件的制备被引量:2
2009年
本文研究了Sendust软磁合金复合材料在动态场和高频下涡流损耗、磁滞损耗等的主要机理,侧重报道Sendust软磁合金材料的磁损耗理论和实验工艺研究相结合所作的工作,并介绍了用于EM I抑制的Sendust软磁复合材料元器件的制作过程,经测试其在频段范围800MHz^1.5GHz内,磁导率虚部平均值为10.4,平均抑制效果(S21)可达11.5dB。
李凤辉王群郭红霞李永卿
关键词:磁损耗软磁合金电磁干扰涡流损耗磁滞损耗
共2页<12>
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