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李炜

作品数:13 被引量:12H指数:3
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 6篇光电
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇探测器
  • 3篇图像
  • 3篇图像传感器
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇互补金属氧化...
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇感器
  • 3篇半导体
  • 3篇CMOS图像
  • 3篇CMOS图像...
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇单光子
  • 2篇单片
  • 2篇电路单元
  • 2篇雪崩

机构

  • 13篇天津大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 13篇李炜
  • 5篇毛陆虹
  • 4篇陈永权
  • 4篇陈弘达
  • 3篇高静
  • 3篇聂凯明
  • 3篇韩立镪
  • 3篇徐江涛
  • 3篇史再峰
  • 2篇粘华
  • 2篇刘江
  • 2篇张晓潇
  • 2篇高鹏
  • 1篇韩建忠
  • 1篇贾久春
  • 1篇张源方
  • 1篇孙增辉

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种提取文本模型特征进行分类算法
本发明提供一种提取文本模型特征进行分类算法,该算法对文本模型的训练数据通过计算第一阶段权值后,将第一阶段权值进行计算在文本模型训练数据中获得特征在新、旧数据分布,再次计算获得第二阶段权值,最后将第二阶段权值以小到大的顺序...
刘江李健铨李炜
文献传递
与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器
本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是,p<Sup>-</Sup>型半导体衬底内设置有一个深n型阱,所述衬底上设置有一个n型阱,位于深n型阱的...
毛陆虹李炜陈弘达陈永权张晓潇
文献传递
与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器
本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是,p<Sup>-</Sup>型半导体衬底内设置有一个深n型阱,n型阱设置于所述衬底上,浅沟槽隔离区设置于...
毛陆虹李炜陈弘达陈永权张晓潇
文献传递
单光子雪崩光电二极管时间延迟积分CMOS图像传感器
本发明涉及CMOS集成电路领域,为针对普通TDI技术对于微光条件下探测能力不足的问题,利用SPAD作为TDI图像传感器的像素使得探测更低光照情况下。同时,本发明又具有全局曝光时序设计简单等特点。本发明采用的技术方案是,单...
徐江涛李炜韩立镪聂凯明史再峰高静
文献传递
面向迁移学习的文本特征提取
随着互联网的发展,有越来越多的信息以文本的方式存储在网络上,成为人们获取信息的来源。当人们面对网络--这个巨大的文本库,急需一种高效的技术手段来帮助人们对这个文本库中的文本进行整理,对其中的信息进行挖掘。文本挖掘应运而生...
李炜
关键词:文本分类特征提取文本挖掘
文献传递
CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计被引量:3
2003年
设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路 ,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器 .它采用0 6μmCMOS工艺 ,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi project wafer)进行流水 .其中光电探测器的工作波长为 850nm ,响应度为 0 2A/W ,接收灵敏度为 - 1 6dBm ,带宽为 80 0MHz ,因此适用于VSR(very short reach)系统 .前置放大器采用电流模反馈放大器 ,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平 .通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟 ,分析了电路的限制因素 ,并提出了相应的改进方法 .
李炜毛陆虹陈弘达孙增辉高鹏陈永权
关键词:单片集成光电探测器
CMOS单片光接收机的带宽设计(英文)
2005年
设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD 小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,分析和模拟了这个光电集成接收机的带宽,用低成本的0.6μmCMOS工艺设计出1.71GHz带宽和49dB跨阻增益的接收机,并给出测试结果.
粘华毛陆虹李炜陈弘达贾久春
关键词:光电集成电路光接收机
单光子雪崩光电二极管时间延迟积分CMOS图像传感器
本发明涉及CMOS集成电路领域,为针对普通TDI技术对于微光条件下探测能力不足的问题,利用SPAD作为TDI图像传感器的像素使得探测更低光照情况下。同时,本发明又具有全局曝光时序设计简单等特点。本发明采用的技术方案是,单...
徐江涛李炜韩立镪聂凯明史再峰高静
锁相环电路的设计及相位噪声分析
该论文设计了一个电荷泵锁相环电路,研究了其相位噪声特性并对该锁相环进行了详细的模拟。该锁相环主要用于MCU中的时钟产生模块,其输出的时钟信号占空比为50%,频率为128MHz,最高频率可以达到192MHz,可以满足在高速...
李炜
关键词:时钟产生锁相环电荷泵压控振荡器相位噪声
文献传递
用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径被引量:3
2003年
介绍了 1 0Gbit/s速率的甚短距离光传输系统VSR(VeryShortReach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成 (OEIC)
毛陆虹韩建忠粘华高鹏李炜陈永权
关键词:CMOS电路甚短距离传输同步光网络多模光纤互补金属氧化物半导体
共2页<12>
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