杨荣 作品数:64 被引量:92 H指数:6 供职机构: 西安交通大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家高技术研究发展计划 中央高校基本科研业务费专项资金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 文化科学 医药卫生 更多>>
面向工科学生的艺术与工程结合实践课程探索 被引量:1 2021年 对标新工科,加强艺术学科与工科的联系,培养工科学生艺术与工程的整合思维与综合应用能力。分析国内外大学艺术与工程结合的跨学科实践课程现状,总结建设面向工科学生的艺工结合实践课程的课程目标和基本思路,探讨具体实施方法、指导团队组建、实验室建设,提出适合工科学生的教授艺术设计学知识的教学方法。 崔琦 杨荣 沈瑶 栗茂林 王娜关键词:实践课程 通识课程 实验室 深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟 被引量:3 2003年 为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -poly栅结合 P型δ掺杂层获得了合理阈值电压及空穴局域化。研究表明 ,经适当设计的 Si Ge PMOS比对应 Si PMOS的 IDmax、gm、f T均提高 1 0 0 %以上 ,表明深亚微米尺度 Si 杨荣 罗晋生关键词:SIGE 深亚微米 PMOSFET 电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的解决方案 本文立足于同常规CMOS工艺兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的工艺解决方案,包括了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件模拟和体硅衬底... 杨荣 李俊峰 钱鹤关键词:电子束 光刻 集成电路 文献传递 无线局域网基站接入系统及智能定向收发方法 本发明公开了一种无线局域网基站接入系统及智能定向收发方法,包括智能天线波束切换控制部分、摆放位置相邻的第一智能天线和第二智能天线,两个智能天线均为可进行波束切换的正九棱柱天线,且结构相同;智能天线波束切换控制部分由射频接... 王文杰 殷勤业 李锋 刘远洋 杨荣 徐振兴手术室优质护理服务在神经阻滞麻醉中的实践探讨 目的:降低外周神经阻滞手术中患者护理安全不良事件的发生率,提高手术安全性。方法:针对外周神经阻滞麻醉患者,进行一系列的优质护理服务。外周神经阻滞患者分为两种:1、全麻加神经阻滞。 杨荣 张丽关键词:神经阻滞 优质护理 改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀 被引量:1 2006年 提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,提高了品质因数;该技术同高阻SOI衬底技术相结合,制造的10nH螺旋电感的最大品质因数达到8.6。 杨荣 李俊峰 钱鹤关键词:螺旋电感 品质因数 硅 刻蚀 多功能总线测试装置 一种多功能总线测试装置,包括系统处理模块,接口电路模块,辅助电路模块和电源模块,其中,系统处理模块由FPGA核心电路FPGA控制核心、存储电路、时钟电路和配置电路,实现各种总线数据的接收,协议组帧、拆分等功能;接口电路模... 王明伟 李铭 黄宝娟 李党超 杨荣 张育林基于图像处理算法的目标识别、定位与跟踪系统设计与实现 被引量:14 2020年 在智能控制的诸多应用领域中,如何对某一目标对象进行识别,提取其空间位置并实现目标跟踪,是智能设备、智能机器人等实现的关键技术之一。这里着眼于特定场景下图像采集、目标特征提取与识别、目标定位与跟踪等关键问题,基于嵌入式技术和机械装置,设计并实现了基于图像处理算法的目标识别、定位与跟踪系统。该系统实现了特定场景下对于多目标物体的识别与跟踪。同时,提出了一个能降低同色或同外形物体对识别精度干扰的RGB与log算子边缘提取协同滤波的图像处理算法,可以有效提高场景中存在其他与目标物同色不同形或同形不同色的干扰物的情况下的目标识别和定位精确度。 杨荣 王明伟 刘思铭关键词:目标识别 图像处理算法 嵌入式技术 智能控制 应变SiGe沟道PMOSFET数值模拟与分析 该文选取最有希望并入Si CMOS电路的平面SiGe PMOSFET器件进行研究,在全面总结应变SiGe材料物理参数模型基础上,以半导体器件二维数值模拟程序MDEICI<'[1]>为手段,探讨了SiGe PMOS器件物理... 杨荣关键词:PMOSFET 数值模拟 文献传递 部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文) 2004年 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术 ,提出了用于数 GHz射频集成电路的 SOI n MOSFET器件结构和制造工艺 .经过半导体工艺模拟软件 Tsuprem4仿真和优化 ,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件 .制作了0 .2 5 μm SOI射频 n MOSFET器件 ,结构和工艺参数同仿真结果一致 。 李俊峰 杨荣 赵玉印 柴淑敏 刘明 徐秋霞 钱鹤关键词:仿真 射频 SOI