林雪晶
- 作品数：6 被引量：34H指数：3
- 供职机构：同济大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 有序介孔二氧化硅薄膜的制备及性能被引量：7
- 2007年
- 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯为无机前驱体,在酸性条件下,采用溶胶-凝胶技术,用蒸发诱导自组装(EISA)工艺制备了二氧化硅透明介孔薄膜.透射电子显微镜图显示热处理后的薄膜具有高度有序的六方相结构孔道;由椭偏仪测得热处理后薄膜的折射率低至1.18,厚度在180nm左右;阻抗分析仪测得薄膜的介电常数为2.14.薄膜经过六甲基二硅胺烷(HMDS)表面修饰后具有良好的疏水性能和热稳定性,作为低介电材料能更好满足工业需求.
- 林雪晶沈军谢志勇姚兰芳吴筱娴罗爱云
- 关键词：光学性能溶胶-凝胶技术介孔薄膜
- 溶胶-凝胶法制备低折射率和低介电常数介孔二氧化硅薄膜(英文)被引量：2
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶技术,蒸发诱导自组装法(EISA)工艺制备了二氧化硅透明有序介孔薄膜。以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为模板剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源前驱体,基片采用双面抛光的硅片,利用提拉法制备薄膜。经过表面修饰剂六甲基二硅胺烷(HMDS)修饰后,薄膜具有疏水性能,而且薄膜的二氧化硅骨架结构更稳定。由椭偏仪测得热处理后的薄膜的折射率低至1.18,而薄膜的介电常数为2.14。
- 沈军欧阳玲林雪晶谢志勇罗爱云
- 关键词：介孔薄膜溶胶-凝胶低介电常数
- 溶胶-凝胶法制备低折射率和低介电常数介孔二氧化硅薄膜
- 采用溶胶-凝胶技术,蒸发诱导自组装法(EISA)工艺制备了二氧化硅透明有序介孔薄膜.以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为模板剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源前驱体,基片采用双面抛光的硅片,利用提拉法制备薄膜.经过表面修...
- 沈军欧阳玲林雪晶谢志勇罗爱云
- 关键词：介孔薄膜低介电常数溶胶-凝胶法自组装法二氧化硅
- 文献传递
- 化学法制备的HfO_2薄膜的激光损伤阈值研究被引量：6
- 2007年
- 采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响。采用红外光谱(FTIR)和X射线衍射仪对薄膜进行了表征,并用输出波长为1.064μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统测试薄膜的激光损伤阈值。实验结果表明:采用150℃左右的温度对薄膜进行热处理可以提高薄膜的激光损伤阈值,所获得的薄膜的激光损伤阈值高达42.32 J/cm2,比热处理前的激光损伤阈值提高了82%;无机材料Al2O3的适量添加能够提高薄膜的激光损伤阈值,其中HfO2与Al2O3的最佳质量配比约为95∶5;另外,对薄膜进行适当的紫外辐照也可改善HfO2薄膜以及HfO2-Al2O3复合薄膜的抗激光损伤性能。紫外辐照对提高HfO2-Al2O3复合薄膜的激光损伤阈值效果尤为显著,辐照40 min后的激光损伤阈值达到44.33 J/cm2,比紫外辐照前的激光损伤阈值提高了90%。
- 沈军罗爱云吴广明林雪晶谢志勇吴晓娴刘春泽
- 关键词：HFO2薄膜紫外辐照激光损伤阈值
- 用于太阳电池的SiO_2增透膜的制备及性能研究被引量：20
- 2007年
- 用溶胶-凝胶及酸碱两步催化法制备出SiO_2溶胶,采用提拉法在太阳电池组件玻璃上制备SiO_2薄膜,进行表面修饰使其具有良好的疏水性,接触角由修饰前的40°提高到107°。设计并制备出在400～800nm波段平均透过率增加5%以上的大面积减反射膜。疏水性耐磨性都可以达到工业化生产的要求。
- 沈军吴筱娴谢志勇肖轶群林雪晶
- 关键词：溶胶-凝胶增透膜疏水太阳电池
- 低介电常数纳米氧化硅薄膜(英文)
- 2010年
- 介绍了一种新制备低介电常数 SiO2薄膜的方法。以 TEOS 为前躯体、盐酸为催化剂、CTAB 作为模版剂,采用溶胶-凝胶法制备硅溶胶,以浸渍提拉法制备薄膜。采用 FITIR、XRD 和 AFM 等方法表征了薄膜,并用阻抗分析仪测量介电常数。结果表明,通过调节 CTAB 的浓度和老化时间可以制得介电常数小于 2.2 的 SiO2 薄膜,薄膜拥有较好的机械强度和耐刮擦性,通过采用六甲基二硅胶烷(HMDS)对薄膜表面进行修饰,可以提高薄膜的疏水性能从而提高其在空气中的稳定性。
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- 关键词：低介电常数溶胶-凝胶法
