毛飞燕
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 化学气相沉积法制备掺N的ZnO薄膜及性能研究
- ZnO是一种宽带隙半导体材料(3.37eV),激子束缚能高(60meV),远高于其它宽禁带半导体材料,在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力,如紫外发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。要实现在光电领域的广泛应用,...
- 毛飞燕
- 关键词：化学气相沉积法ZNO薄膜CVD法导电特性退火温度
- 文献传递
- 退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al／Zn原子比为0．1％的ZnO：Al薄膜，在500℃的氩气中进行了1～5h不同时间退火处理，利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响。结果显示，退火1h时，样品出现了C轴择优取向，深能级发射（DLE）提高，可见光区光学透过率约为80％，电阻率仅为4×10^-2Ω·cm。更长时间退火后，随着退火时间增加，薄膜结晶质量逐渐变差，电阻率逐渐增大。
- 袁兆林祖小涛薛书文李绪平向霞王毕艺田东彬邓宏毛飞燕
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO:AL薄膜光致发光退火时间透过率
- 掺N的ZnO薄膜制备和性能研究
- 利用化学气相沉积法(CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H20为源,NH<,3>为掺杂气体制备出掺N的ZnO薄膜,并采用XRD、SEM、XPS、EDS和PL谱对薄膜的结构、形貌、成分和光学特性进行分析。结果...
- 毛飞燕邓宏戴丽萍汤采凡
- 关键词：化学气相沉积掺杂光学特性
- 文献传递
- 利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质被引量：1
- 2008年
- 利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到+5.127×1017cm3?,电阻率为0.04706?.cm,迁移率为259cm2/(V.s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.
- 毛飞燕邓宏戴丽萍陈金菊袁兆林李燕
- 关键词：化学气相沉积法P型迁移率载流子浓度
- 退火对N离子注入ZnO：Al薄膜性能的影响被引量：1
- 2008年
- 利用溶胶-凝胶法在（0001）Al2O3衬底上制备了Al／Zn原子比为1％的ZnO：Al薄膜，将能量56keV、剂量1×10^17ions／cm^2的N离子注入到薄膜中。离子注入后，样品在500-900℃氮气气氛中退火，利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响。结果显示，在800℃以下退火，随退火温度提高，薄膜结晶性能逐渐变好；在600℃以上退火，随退火温度提高，紫外近带边发光峰（NBE）和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强；600℃退火时，样品的电阻率仅为83Ω·cm。
- 袁兆林祖小涛薛书文邓宏毛飞燕向霞
- 关键词：溶胶-凝胶法离子注入退火光致发光电阻率
