焦世龙
- 作品数：35 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程环境科学与工程金属学及工艺更多>>
- SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布
- 2005年
- 通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度,由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究。
- 张雪琴吴云峰叶玉堂焦世龙
- 关键词：激光诱导扩散
- 脉冲激光微细加工曝光区温度的不接触测量被引量：1
- 2007年
- 针对大功率脉冲激光微细加工区域工作激光对辐射测温的影响,提出在周期脉冲激光的间隙内提取温度信号的新方法,应用采样保持原理,研制相应的测量系统,通过温度定标,从A/D采样值直接读取温度值。结果表明,该温度测量系统能有效地消除工作激光对温度测量的干扰,准确地测量曝光区域的温度,在温度为500℃左右时,系统的温度分辨能力可达0.03℃,能满足激光扩散、激光合金等工艺要求。
- 王小林王昱林徐攀叶玉堂吴云峰刘霖范超焦世龙
- 关键词：采样保持
- 单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法
- 本发明提供的单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，它是通过采用功率密度很高的激光束照射半导体表面需要退火的区域，在照射区将产生温度随时间的变化率很大、持续时间短的骤冷、骤热过程；将该温度骤变过程控制在合适的变化...
- 叶玉堂吴云峰焦世龙张雪琴赵爱英刘霖王昱琳
- 文献传递
- 湿法腐蚀的红外热像对比研究被引量：5
- 2006年
- 提出了一种研究半导体湿法腐蚀进程的红外热像法。将半导体基片浸泡于化学试剂中,利用红外热像仪探测红外腐蚀信号,并由计算机进行处理,得到热像图。对GaAs在不同配比溶剂中的腐蚀进程进行了红外热像的对比研究,结果表明:红外热像法可以观测到对比实验的显著差异,并直观地表征了基片、腐蚀剂以及腐蚀时间的相互关系。
- 范超叶玉堂焦世龙刘霖陈镇龙吴云峰王昱琳田骁
- 关键词：红外热像湿法腐蚀半导体
- 双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化
- 2006年
- 激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质浓度分布的均匀化整形。对于InP衬底的CO2激光诱导Zn扩散,利用温度闭环测控系统测得的基片表面热斑温度场分布,分析计算了两次激光诱导扩散重叠区域的浓度分布积分效应。在此基础上模拟计算出,用双次曝光积分效应做杂质浓度分布的均匀化整形时,基片上两次激光照射位置的最佳间隔为20μm。这为改进激光诱导扩散工艺,用多次曝光实现面均匀的杂质浓度分布奠定了理论基础。
- 王昱琳叶玉堂吴云峰赵爱英焦世龙范超
- 关键词：激光诱导扩散
- 短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：2
- 2008年
- 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
- 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电集成电路光接收机前端跨阻放大器
- 光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3
- 2010年
- 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。
- 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂
- 关键词：集成光学限幅放大器
- 5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端被引量：1
- 2006年
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂
- 关键词：单片集成PHEMTGAASMSM
- 杂质Zn在InP中的扩散机制被引量：1
- 2005年
- 介绍了杂质Zn在InP中的两种扩散机制,间隙-替代机制和Kick-out机制。InP为n型时,扩散机制为间隙-替代式;InP为p型时,扩散机制为Kick-out式。重点介绍了三种不同模型,解释Zn在InP中通过间隙原替代机制进行扩散时,空穴浓度与Zn浓度不同的原因,并评价了三种模型。
- 赵爱英叶玉堂吴云峰王昱琳张雪琴范超焦世龙
- 关键词：INPINPZNP型
- 湿法腐蚀进程的红外热像学研究被引量：4
- 2006年
- 提出了一种研究湿法腐蚀进程的新方法———红外热像法。在湿法腐蚀中,金属或半导体基片浸泡在化学试剂中,由于化学能的作用,会在溶剂中产生热能,从而发出红外辐射,利用红外热像仪,将探测到的红外辐射信号送至计算机进行处理,得到热像图,从而可以对湿法腐蚀的进程进行分析。理论分析和实验结果都表明,红外热像法可以直观地观测到湿法腐蚀时显著的热扩散过程,从而对湿法腐蚀进程的监测、控制具有指导意义,同时也是红外技术应用的扩展。
- 范超叶玉堂刘霖陈镇龙焦世龙吴云峰王昱琳田骁
- 关键词：成像系统红外热像湿法腐蚀半导体
