王云华
- 作品数：15 被引量：44H指数：5
- 供职机构：长春理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备被引量：3
- 2011年
- 提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值。采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高。
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- 关键词：增透膜折射率溅射
- 基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计被引量：11
- 2013年
- 随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。
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- 关键词：半导体激光器ZEMAX高功率光纤耦合
- 溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究被引量：5
- 2013年
- 为了改善GaAs(110)与自身氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题,提出采用射频磁控溅射技术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度ZnO薄膜作为钝化层,并利用光致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS)等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低到0.94,ZnO钝化层能够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化方法。
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- 关键词：GAAS钝化ZNO薄膜
- 氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响被引量：3
- 2013年
- 介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失。
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- 关键词：等离子清洗发光强度
- 无损耗型及损耗型分布布拉格反射镜光学特性的传输矩阵理论分析及优化(英文)被引量：1
- 2013年
- 利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结构的DBR内部光场分布情况进行了模拟分析和实验验证。结果表明:光场正入射到DBR后,在HL及HLH型DBR结构内部的光场分布最弱。当组成DBR的材料层消光系数为0.01时,HL及HLH型DBR内部产生的能流密度吸收量最小,为其他结构的10%左右,材料吸收引起的中心波长反射率降低仅为3.6%;而LH及LHL型DBR结构由于材料吸收而导致反射率降低29.2%。因此,采用高折射率材料层作为DBR结构的第一层有利于提高DBR反射率,降低光学吸收。最后,通过MOCVD外延生长了具有HL结构的吸收型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As DBR结构,并对其反射特性进行了测试。
- 王云华薄报学
- 关键词：传输矩阵法分布布拉格反射器光场分布反射光谱
- 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法
- 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中...
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- 文献传递
- GaAs表面硫钝化工艺新研究被引量：6
- 2012年
- 为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH4)2S+叔丁醇、Se+(NH4)2S+叔丁醇等几种不同含硫溶液钝化GaAs(100)表面的发光特性。通过测试PL发光谱发现,Se+(NH4)2S+叔丁醇溶液处理的GaAs(100)表面发光强度最强,是未做钝化处理的25倍左右。钝化处理后的基片在空气中放置数小时,PL谱未见明显退化。得出Se+(NH4)2S+叔丁醇不论从发光强度还是稳定性来说,都是较为理想的钝化溶液。
- 周路王云华贾宝山白端元乔忠良高欣薄报学
- 关键词：砷化镓钝化光致发光
- 基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究被引量：10
- 2012年
- 为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。
- 周路薄报学王云华贾宝山白端元乔忠良高欣
- 关键词：激光器量子阱混杂
- 基于ZnO薄膜材料的大功率半导体激光器腔面钝化技术
- 随着高功率半导体激光器在光纤通信、工业加工、宇宙航天、医疗卫生和国防军事等领域的广泛应用及研究，社会对高功率半导体激光器的需求越来越大。其中，腔面膜技术是研制半导体激光器的关键技术之一，腔面膜性能的优劣直接影响到半导体激...
- 王云华
- 关键词：半导体激光器磁控溅射
- 文献传递
- 一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法
- 一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，基于量子阱混杂...
- 周路王云华薄报学高欣乔忠良贾宝山白端元
