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王刚

作品数：3 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇低阻
  • 1篇电阻
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇应力
  • 1篇应力释放
  • 1篇有源层
  • 1篇栅电极
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇射线衍射
  • 1篇热分析
  • 1篇显示器
  • 1篇绝缘层
  • 1篇开关
  • 1篇开关器件
  • 1篇方块电阻
  • 1篇TA
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇A-SI

机构

  • 3篇吉林大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇北方液晶工程...
  • 1篇吉林彩晶数码...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 3篇王刚
  • 3篇杨柏梁
  • 2篇赵超
  • 2篇黄锡珉
  • 1篇刘传珍
  • 1篇邵喜斌
  • 1篇刘宏宇
  • 1篇朱永福
  • 1篇李牧菊
  • 1篇吴渊
  • 1篇杨柏梁
  • 1篇袁剑峰

传媒

  • 3篇液晶与显示

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制被引量：1
1999年
介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。
袁剑峰杨柏梁朱永福李牧菊刘传珍吴渊廖燕平王刚邵喜斌刘宏武黄锡珉
关键词：开关器件有源层栅绝缘层液晶显示器
低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究被引量：2
2000年
研究了溅射Ｔａ膜的电学和结构特性与Ｎ２气分压的关系，并确定了电学性能稳定的低阻α－Ｔａ薄膜（电阻率３４μΩ·ｃｍ）的制备工艺条件。
王刚杨柏梁杨柏梁赵超黄锡珉
关键词：X射线衍射方块电阻
表面无小丘Al双层栅电极结构研究被引量：7
2000年
利用ＤＳＣ方法研究了纯铝薄膜中的小丘现象，同时制备了Ａｌ双层栅电极Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ薄膜，并在不同温度下进行了退火处理，研究了双层结构中上层金属（Ｔａ、Ｃｒ和Ｍｏ）厚度对Ａｌ薄膜中小丘的抑制作用。实验结果表明，上层Ｔａ膜厚度在８０～９０ｎｍ左右（在本实验条件下）时，可得到表面无小丘的Ｔａ／Ａｌ薄膜栅材料。实验制备的表面无小丘 Ｔａ／Ａｌ、 Ｃｒ／Ａｌ和 Ｍｏ／Ａｌ等栅电极材料的电阻率均在 ７～２０μΩ·ｃｍ之间，基本满足现今对角线为 ２５～５１ｃｍ（１０～２０ｉｎ）大屏幕、高清晰度ＴＦＴ　ＬＣＤ要求。
王刚刘宏宇赵超杨柏梁黄锡珉
关键词：应力释放差热分析
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