王敬义
- 作品数：54 被引量：85H指数：6
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程冶金工程更多>>
- 温差电材料参数测试系统被引量：1
- 1995年
- 分析了温差电材料的各种参数对温差电器件的影响，描述了测定温差电材料的温差电动势率α、电导率σ以及热导率Ｋ的参数测试系统，尤其是此系统可测出任意指定的温度下的参数值。
- 刘辉赵宁李忠王敬义
- 关键词：热导率电导率
- 等离子体刻蚀提纯冶金硅研究
- 2009年
- 通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75%提高到99.56%。在此基础上,设计射频感应放电等离子体的振动倾斜反应室,经实验,将硅粉纯度提高到99.96%,接近太阳级硅的要求,也为该研究未来的发展提供了新的思路和理论参考。
- 尹盛曹伯承赵亮王敬义
- 关键词：冷等离子体刻蚀射频
- 激光冶炼太阳级硅材料的实验研究
- 1996年
- 通过实验研究表明，大功率ＣＯ２激光器在廉价硅材料制备中应用的可能性。
- 赵宁王敬义李兴教王涛陶星之辜建辉郑启光
- 关键词：太阳电池
- 粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数被引量：4
- 2005年
- 针对反应室的情况,建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据.应用该模型和判据,选择进气流速为5～2 0cm3 /min(标准状态下) ,抽气比例为0 .1.由于等离子区内只存在表面反应,钝化作用会使纯化效应消失.在鞘层内存在大量高能离子,除表面反应外,离子还能对粉粒表面进行刻蚀,因此钝化效应将消失.按此新的纯化概念,鞘层应尽量增厚.基于鞘尽模型考虑,在适中的压力、电流密度和直流自偏压下,选定鞘层厚度为1.5cm .刻蚀提纯的实验结果表明,硅的纯度可由99.0 0 % .提高到99.97% .
- 陶甫廷王敬义许淑慧冯信华
- 关键词：鞘层工艺参数
- 反应溅射中靶面附近的粒子输运研究被引量：2
- 2003年
- 列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程。有关方程耦合后求解溅射速率与气体流量和放电电流的关系。本文强调反应粒子的反应碰撞,论述了从粒子输运出发探讨薄膜生长方法的优点。
- 陶甫廷王敬义何笑明王宇尹盛
- 关键词：反应溅射薄膜生长生长速率
- 等离子体提纯硅粉的实验研究被引量：1
- 1996年
- 本文阐述了等离子体工艺在硅粉提纯方面的应用，在真空条件下，利用ＨＣｌ或含氯气体化合物，经射频辉光放电形成等离子体与硅粉中的杂质反应，可以在较低的温度下（２００℃～４００℃）、较短的时间（１～２小时）内，除去硅粉中的大部分杂质，而且操作简单，功耗较低。
- 李忠王敬义何笑明肖成章赵宁
- 关键词：等离子体半导体材料硅粉提纯
- 一种新型廉价太阳级硅制备技术被引量：9
- 1996年
- 介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价大阳级硅制备系统，运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析，建立了硅粉在该系统中的运动模型，并且对系统内硅粉运动速度进行了讨论，提出了优化冶金效果的措施。
- 赵宁李忠李兴教王敬义
- 关键词：硅粉提纯等离子体冶炼硅太阳能电池
- 粉尘等离子体的研究
- 2008年
- 在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响，讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。
- 尹盛赵亮李战春王敬义
- 关键词：刻蚀速率
- 提高粉粒沉降过程中等离子体纯化能力的研究被引量：9
- 2001年
- 限于工艺条件 ,我们过去曾得出粉粒在等离子体中沉降时 ,提纯效果可忽略不计 ,本文经过详细的分析、计算和论证表明 ,沉降时间及提纯速率可经工艺改进而提高到使提纯效果达到决定性的地步。文中提供了计算结果、改进措施及粉粒可收集的判据。这对于提高等离子体总的冶金效应和将其推向应用都具有很大的意义。
- 王敬义王宇陶甫廷陈文辉张巍冯信华陶臻宇尹盛
- 关键词：等离子体冶金沉降时间
- 平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算被引量：1
- 2007年
- 利用所建立的鞘层区离子速度分布函数，得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率，结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数：压力、温度、放电电压以及反应室尺寸等参数表示，为工艺优化提供了理论依据。
- 尹盛王飞李战春王敬义
- 关键词：等离子体鞘层分布函数刻蚀速率
