王美娜
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 稀土元素Gd掺杂GaN的电子结构和磁学性质研究被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)结合投影缀加平面波(PAW)的方法,通过VASP软件包计算研究了稀土元素Gd掺杂GaN的晶格参数、形成能、电子态密度、能带结构和磁学性质.计算过程中将稀土元素Gd的4f电子计入价电子,采用LSDA+U方法处理4f电子的强关联效应.计算结果表明:Gd原子之间的耦合是反铁磁性的,当有足够的空穴载流子存在时能够稳定铁磁相;Ga空位虽然能够提供空穴稳定铁磁相,但是由于在p型GaN中Ga空位的形成能较高而难以形成;而间隙N缺陷和间隙O缺陷的形成能较低,能够稳定GaN∶Gd体系的铁磁相并且能够分别引入1μB和2μB的磁矩,因此认为间隙N和O可能是巨大磁矩的来源.
- 王美娜李倩倩李英
- 关键词：稀土掺杂密度泛函理论GAN电子结构
- 正交多铁性材料DyMnO_3的磁性质研究
- 2013年
- 基于密度泛函理论结合投影缀加平面波方法,通过VASP软件包执行计算,在分别考虑电子自旋阻挫共线与非共线的磁性结构基础上,研究了正交结构下多铁性DyMnO3材料在不同磁性构型下的晶格参数、总能、磁性、电子态密度和能带结构.计算过程中选取广义梯度近似赝势,同时使用局域自旋密度近似+U方法处理强关联作用下3d电子的计算结果.计算结果表明:Mn离子为A型反铁磁态磁性构型的情况下能量最低结构最为稳定,Dy稀土离子磁性甚微,可忽略不计;当考虑电子自旋为非共线排列时,正交DyMnO3的总能提高、磁矩增大;从电子结构图分析可知,材料为间接能隙绝缘体,能隙宽度约为0.38 eV,加U后为1.36 eV,导致晶格畸变的主要原因为Mn-3d与O-2p电子之间强烈的杂化作用.
- 王美娜李英王天兴刘国栋
- 关键词：多铁性反铁磁密度泛函理论
- 正交多铁性材料DyMnO3的磁性质研究
- 基于密度泛函理论(DFT)结合投影缀加平面波(PAW)方法，在分别考虑电子自旋阻挫共线与非共线的磁性结构基础上，研究了正交结构多铁性DyMnO3材料在不同磁构型下的晶格参数、磁性和电子结构图谱。计算选取GGA赝势，并使用...
- 王美娜李英刘国栋
- 关键词：多铁性反铁磁密度泛函理论
