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王鑫
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供职机构:
中国电子科技集团第十一研究所
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
赵超
中国电子科技集团第十一研究所
谭振
中国电子科技集团第十一研究所
周立庆
中国电子科技集团第十一研究所
宁提
中国电子科技集团第十一研究所
折伟林
中国电子科技集团第十一研究所
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赵超
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一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器
本申请公开了一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器,涉及半导体技术,包括衬底层、p型收集层、吸收层、过渡层、漂移增强层、i型倍增层及n型收集层等。通过设置漂移增强层HgCdTe层,Cd组分采用阶梯状缓变以保持能级缓慢过...
何温
折伟林
邢伟荣
赵超
王丹
王鑫
郝斐
刘铭
闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机
本发明公开了一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机,所述方法包括:将退火后的石英管放入激光开管机的真空腔室内,将所述真空腔室抽真空至低于石英管内的压强;通过激光开管机的激光器在石英管上打出一个小孔,使石英管与真空腔室...
王鑫
宁提
祁娇娇
谭振
周立庆
文献传递
一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法
本发明涉及一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法,其中碲镉汞芯片退火装置包括:底座,底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂,第一支撑臂、第二支撑臂以及底座形成了容纳腔;盖板,盖板设置在第一支撑臂和第二支撑臂远离底座的一侧...
王鑫
祁娇娇
吴卿
文献传递
金属杜瓦瓶的漏率检测
金属杜瓦瓶的漏率大小是决定红外探测器组件使用寿命的关键因素之一,为保证在杜瓦的封接过程中焊缝的漏率满足要求,检漏就成为必不可少的工艺。本文介绍了常用的检漏方法和我们所使用的检漏设备,提出了检漏中需要注意的关键问题。
王鑫
宁晋杰
关键词:
杜瓦
漏率
芯片电极的制备方法及制备装置
本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置,制备方法包括:将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极;对形成电极的芯片进行加热,达到第一预设温度后维持预设时间;在真空腔室内,对芯片进行降温,使芯片降温至第二预...
王鑫
谭振
祁娇娇
宁提
周立庆
文献传递
一种碲镉汞芯片的闭管热处理方法
本发明提出了一种碲镉汞芯片的闭管热处理方法,包括:将至少一片碲镉汞芯片固定于工装载体上,其中,工装载体的尺寸大于碲镉汞芯片且与退火管的内径匹配;将工装载体放入退火管内,以使得碲镉汞芯片与退火管的内壁不发生接触。本发明提供...
王鑫
刘世光
赵东生
金属杜瓦瓶的漏率检测
金属杜瓦瓶的漏率大小是决定红外探测器组件使用寿命的关键因素之一,为保证在杜瓦的封接过程中焊缝的漏率满足要求,检漏就成为必不可少的工艺。本文介绍了常用的检漏方法和我们所使用的检漏设备,提出了检漏中需要注意的关键问题。
王鑫
宁晋杰
关键词:
杜瓦瓶
红外探测器
文献传递
闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机
本发明公开了一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机,所述方法包括:将退火后的石英管放入激光开管机的真空腔室内,将所述真空腔室抽真空至低于石英管内的压强;通过激光开管机的激光器在石英管上打出一个小孔,使石英管与真空腔室...
王鑫
宁提
祁娇娇
谭振
周立庆
文献传递
低暗电流p on n型碲镉汞器件、制备方法及红外探测器
本发明提出了低暗电流p on n型碲镉汞器件、制备方法及红外探测器,其中,制备方法包括:S10,建立p on n型碲镉汞器件的仿真模型,通过性能测试实验分别获取p型层掺杂浓度、n型层掺杂浓度、过渡层厚度与暗电流间的关系趋...
何温
赵超
郝斐
张轶
王鑫
杨海燕
碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法
本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法,碲镉汞半导体器件包括:衬底层、器件下层、过渡层和器件上层,器件下层生长于衬底层,过渡层生长于器件下层,器件上层生长于过渡层;其中,器件下层和器件上层的碲镉...
何温
郝斐
喻松林
赵超
王鑫
杨海燕
柏伟
折伟林
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