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胡光喜

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 9篇场效应
  • 8篇解析模型
  • 6篇物理概念
  • 6篇半导体
  • 5篇亚阈值
  • 5篇晶体管
  • 5篇掺杂
  • 4篇电路
  • 4篇亚阈值特性
  • 4篇阈值电压
  • 4篇半导体场效应...
  • 4篇场效应管
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇电势
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇三维仿真
  • 3篇迁移率
  • 3篇最大化
  • 3篇阈值电压解析...
  • 3篇量子

机构

  • 24篇复旦大学

作者

  • 24篇胡光喜
  • 15篇刘冉
  • 14篇郑立荣
  • 4篇梅光辉
  • 3篇李佩成
  • 3篇向平
  • 3篇倪亚路
  • 2篇王伶俐
  • 2篇周学功
  • 2篇童家榕
  • 2篇刘智斌
  • 1篇丁智浩
  • 1篇仇志军
  • 1篇顾经纶
  • 1篇陆叶
  • 1篇冯建华
  • 1篇田朋飞

年份

  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2003
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法
本发明属于电子技术领域，具体涉及一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法。该方法提出了一种与具体硬件结构无关、基于权重的错误注入模型，用于准确模拟基于SRAM的FPGA抗辐射性能；同时提出了基于JTAG边界扫描技术和...
王伶俐周学功童家榕刘智斌胡光喜
氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电势和电流计算模型
本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电势和电流计算模型。晶体管的结构是异质结，制备方法：在未掺杂的GaN上通过分子束外延生长AlGaN，然后对AlGaN进行n型简并掺杂，在掺杂...
胡光喜刘冉郑立荣
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一种围栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的解析模型。本发明通过求出围栅结构MOSFET的电势分布，根据电势分布求出其表面电荷密度，然后根据本发明阈值电压的定...
梅光辉李佩成胡光喜倪亚路刘冉
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氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电流计算方法
本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电流计算方法。晶体管的结构是异质结，制备方法：在未掺杂的GaN上通过分子束外延生长AlGaN，然后对AlGaN进行n型简并掺杂，在掺杂的Al...
胡光喜刘冉郑立荣
一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅解析模型。本发明根据双栅结构MOSFET的电势分布，求出在MOSFET表面电势最低点的电子浓度随栅压的变化情况，由此得出亚阈值摆幅的解析模型。该模型物理概...
丁智浩胡光喜
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一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压...
李佩成梅光辉胡光喜倪亚路刘冉
一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管
本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。其结构为以氧化铪作为衬底氧化层，在氧化铪上方是作为沟道和源漏的半椭柱型硅，在沟道上覆盖与沟道同长径比的椭环型氧化铪栅氧化层和金属栅。其中，对源...
胡光喜鲍佳睿胡淑彦刘冉郑立荣
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医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法
本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法。本发明通过理论分析和基于三维仿真软件HFSS仿真，得到提高互感系数M的优化设计方法，包括利用HFSS仿真和/或理论计算，找到...
胡光喜鲍佳睿胡淑彦郑立荣
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一种快速提取无源漏三栅结构场效应管阈值电压的方法
本发明属于半导体技术领域，具体为一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压的快速提取方法。本发明通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得这种结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义，沟道内平均电势等于准费米...
胡光喜冯建华刘冉郑立荣
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石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法
本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物...
胡光喜鲍佳睿胡淑彦刘冉郑立荣
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