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梅光辉

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇解析模型
  • 3篇阈值电压
  • 3篇阈值电压解析...
  • 3篇物理概念
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体场效应...
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇栅结构
  • 2篇基源
  • 2篇硅表面
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷密度
  • 1篇电路
  • 1篇电路模拟
  • 1篇子线
  • 1篇量子
  • 1篇量子线
  • 1篇漏电

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇胡光喜
  • 4篇梅光辉
  • 3篇李佩成
  • 3篇刘冉
  • 3篇倪亚路
  • 1篇顾经纶

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压...
李佩成梅光辉胡光喜倪亚路刘冉
一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压...
李佩成梅光辉胡光喜倪亚路刘冉
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一种围栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的解析模型。本发明通过求出围栅结构MOSFET的电势分布，根据电势分布求出其表面电荷密度，然后根据本发明阈值电压的定...
梅光辉李佩成胡光喜倪亚路刘冉
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一种围栅结构MOSFET源漏电流解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种围栅结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）源漏电流解析模型。本发明针对围栅结构MOSFET的不同沟道长度，根据McKelvey的通量理论，得到这种器件的电流电压模型。只要调整其中的...
胡光喜顾经纶梅光辉
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