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李佩成
作品数:
3
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供职机构:
复旦大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
倪亚路
复旦大学
刘冉
复旦大学
梅光辉
复旦大学
胡光喜
复旦大学
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3篇
中文专利
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1篇
电子电信
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阈值电压
3篇
阈值电压解析...
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半导体
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半导体场效应...
3篇
场效应
3篇
场效应晶体管
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电荷
1篇
电荷密度
1篇
栅结构
机构
3篇
复旦大学
作者
3篇
胡光喜
3篇
李佩成
3篇
梅光辉
3篇
刘冉
3篇
倪亚路
年份
1篇
2013
2篇
2011
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一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域,具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布,然后根据本发明阈值电压的定义方法,当栅极所加电压...
李佩成
梅光辉
胡光喜
倪亚路
刘冉
一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域,具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布,然后根据本发明阈值电压的定义方法,当栅极所加电压...
李佩成
梅光辉
胡光喜
倪亚路
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一种围栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域,具体为一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的解析模型。本发明通过求出围栅结构MOSFET的电势分布,根据电势分布求出其表面电荷密度,然后根据本发明阈值电压的定...
梅光辉
李佩成
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