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艾磊

作品数:10 被引量:15H指数:1
供职机构:武汉大学更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇纳米
  • 7篇ZNO纳米
  • 5篇纳米线
  • 5篇ZNO纳米线
  • 4篇水热
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇ZNO纳米线...
  • 2篇氮分压
  • 2篇电池
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇蒸发法
  • 2篇水热法
  • 2篇水热合成
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇欧姆接触电极

机构

  • 10篇武汉大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 10篇艾磊
  • 9篇方国家
  • 7篇刘逆霜
  • 7篇赵兴中
  • 4篇王明军
  • 3篇王明军
  • 2篇黄晖辉
  • 1篇李春
  • 1篇高慧敏
  • 1篇李军

传媒

  • 3篇功能材料
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 6篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响
2007年
用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5%增加到50%,薄膜先是呈现(111)的择优取向,后是呈现(200)的取向,最后没有衍射峰出现,结构趋于无定型,于此同时,电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。
刘逆霜方国家王明军艾磊赵兴中
关键词:TIN氮分压电导率
ZnO纳米线阵列的图形化生长被引量:1
2007年
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质,从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐,纳米线阵列在室温下光致发光(PL)谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少,晶体质量高。
艾磊方国家刘逆霜王明军赵兴中
关键词:ZNO纳米线光刻水热合成
种子层对染料敏化ZnO纳米棒光伏电池性能的影响
2007年
用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌(ZnO)和掺铝氧化锌(AZO)薄膜,其可见光透射率达到85%以上。用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒,x射线衍射分析(XRD)发现所制得的纳米棒都有(002)择优取向;扫描电子显微镜(SEM)结果表明,采用不同的实验条件和参数可以有效的影响纳米棒的长度、直径、密度等,并得到了垂直于衬底的纳米结构。用所得到的纳米结构制作太阳能电池的效率达到了0.26%。
王明军方国家艾磊刘逆霜高慧敏赵兴中
关键词:ZNO纳米棒水热法染料敏化太阳能电池
基于ZnO纳米杆阵列的异质pn结的制备与性能研究
艾磊
关键词:氧化锌P-SI异质结
ZnO纳米线阵列的图形化生长
采用光刻和射频磁控溅射技术在 Si 衬底上制备了图形化的 ZnO 种子层薄膜.分别采用气相榆运和水热合成法,制备了最小单元为30μm 的图形化的 ZnO 纳米线阵列.X 射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的...
艾磊方国家刘逆霜王明军赵兴中
关键词:光刻水热合成
文献传递
射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响
用射频反应溅射的方法制备了 TiN 薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中 N分量有直接关系.随着 N分量由5%增加到50%,薄膜先是呈现(111) 的择优取向,后是呈现(200)的取向,曩后没有衍射峰出现,结构趋于无定...
刘逆霜方国家王明军艾磊赵兴中
关键词:TIN氮分压电导率
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一种n-ZnO纳米线/p-NiO异质pn结二极管及其制备方法
本发明公开了一种n-氧化锌纳米线/p-氧化镍异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结由n型ZnO薄膜种子层或者掺杂ZnO薄膜种子层上生长出的n型ZnO纳米线;在ZnO纳米线上镀NiO材料而得到的异质pn...
方国家黄晖辉艾磊
文献传递
一种n-ZnO纳米线/p-NiO异质pn结二极管及其制备方法
本发明公开了一种n-氧化锌纳米线/p-氧化镍异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结由n型ZnO薄膜种子层或者掺杂ZnO薄膜种子层上生长出的n型ZnO纳米线;在ZnO纳米线上镀NiO材料而得到的异质pn...
方国家黄晖辉艾磊
文献传递
ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能被引量:14
2008年
采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。
方国家王明军刘逆霜李春艾磊李军赵兴中
关键词:ZNO纳米线阵列光致发光场致电子发射
种子层对染料敏化ZnO纳米棒光伏电池性能的影响
用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌(ZnO)和掺铝氧化锌(AZO)薄膜,其可见光透射率达到85%以上.用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒,X 射线衍射分析(XRD) 发现所制得的纳米棒都有(0...
王明军方国家艾磊刘逆霜高慧敏赵兴中
关键词:ZNO纳米棒水热法染料敏化太阳能电池
文献传递
共1页<1>
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