您的位置： 专家智库 > >

王明军

作品数：4 被引量：15H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇ZNO纳米
  • 2篇水热
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇ZNO纳米线...
  • 1篇氮分压
  • 1篇电池
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电子发射
  • 1篇水热法
  • 1篇水热合成
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇染料敏化
  • 1篇染料敏化太阳...
  • 1篇热法
  • 1篇热合成

机构

  • 4篇武汉大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 4篇方国家
  • 4篇艾磊
  • 4篇刘逆霜
  • 4篇赵兴中
  • 4篇王明军
  • 1篇李春
  • 1篇高慧敏
  • 1篇李军

传媒

  • 3篇功能材料
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响
2007年
用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜，其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5％增加到50％，薄膜先是呈现（111）的择优取向，后是呈现（200）的取向，最后没有衍射峰出现，结构趋于无定型，于此同时，电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。
刘逆霜方国家王明军艾磊赵兴中
关键词：TIN氮分压电导率
ZnO纳米线阵列的图形化生长被引量：1
2007年
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质，从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐，纳米线阵列在室温下光致发光（PL）谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。
艾磊方国家刘逆霜王明军赵兴中
关键词：ZNO纳米线光刻水热合成
种子层对染料敏化ZnO纳米棒光伏电池性能的影响
2007年
用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌（ZnO）和掺铝氧化锌（AZO）薄膜，其可见光透射率达到85％以上。用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒，x射线衍射分析（XRD）发现所制得的纳米棒都有（002）择优取向；扫描电子显微镜（SEM）结果表明，采用不同的实验条件和参数可以有效的影响纳米棒的长度、直径、密度等，并得到了垂直于衬底的纳米结构。用所得到的纳米结构制作太阳能电池的效率达到了0．26％。
王明军方国家艾磊刘逆霜高慧敏赵兴中
关键词：ZNO纳米棒水热法染料敏化太阳能电池
ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能被引量：14
2008年
采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。
方国家王明军刘逆霜李春艾磊李军赵兴中
关键词：ZNO纳米线阵列光致发光场致电子发射
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0