蒋俊岩
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
- 发文基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
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- 砷掺杂ZnO纳米线阵列的制备及特性研究
- ZnO是一种具有纤锌矿结构和直接带隙的宽带半导体,在室温下的禁带宽度为3.37 eV,与GaN的禁带宽度相近.ZnO主要靠激子复合发射紫外光,其激子结合能高达60 meV,远大于GaN的激子束缚能(21 meV)和室温热...
- 冯秋菊孙景昌王珏冯宇蒋俊岩陶鹏程许瑞卓刘爽李梦轲宋哲
- 锑掺杂ZnO纳米线和p-ZnO薄膜//n-Si异质结器件的制备及特性研究
- ZnO是一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。因此,ZnO材料在制备电子器件及光电子器件等方面都有着很好的应用价值。目前关于ZnO发光器件的制备已经成为了国内外的研究热...
- 蒋俊岩
- 关键词：化学气相沉积ZNO纳米线
- 文献传递
- CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究被引量：4
- 2013年
- 利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.
- 冯秋菊蒋俊岩唐凯吕佳音刘洋李荣郭慧颖徐坤宋哲李梦轲
- 关键词：CVD异质结电致发光
- 磷掺杂ZnO纳米梳的制备和特性研究
- ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能(60 meV)比室温下的离化能(26 meV)大得多,室温或更高温度下仍可实现有效的紫外光发射,因此,在紫外探测器、紫外激光器等紫外...
- 王珏孙景昌冯秋菊冯宇蒋俊岩陶鹏程许瑞卓刘爽李梦轲宋哲
- 高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征被引量：3
- 2011年
- 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。
- 冯秋菊冯宇梁红伟王珏陶鹏程蒋俊岩赵涧泽李梦轲宋哲孙景昌
- 关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积光致发光
- Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒的制备及其特性研究
- 2011年
- 采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学性质的表征。结果表明:纳米棒为结晶质量较好的六角纤锌矿结构,在能量色散谱(EDS)中观测到了Sb元素的存在。此外,在低温光致发光(PL)光谱中还观测到了与Sb掺杂相关的中性受主束缚激子发光峰(A0X)、自由电子到受主能级跃迁的发光峰(FA)、施主受主对(DAP)以及DAP的一级纵向光声子伴线(DAP-1LO),因此证实Sb元素作为受主杂质掺杂已进入ZnO晶格。
- 冯宇冯秋菊王珏蒋俊岩陶鹏程刘爽许瑞卓李梦轲宋哲孙景昌
- 关键词：化学气相沉积ZNO纳米棒光致发光
