薛守斌
- 作品数：27 被引量：18H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种抗辐照的多叉指CMOS器件
- 本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极...
- 王文华黄德涛黄如王阳元薛守斌
- 文献传递
- RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒被引量：2
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。
- 胡丽君庄惠照高海永何建廷薛守斌薛成山
- 关键词：射频磁控溅射氨化
- 硅基以ZnO为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究
- 本文采用氨化Ga<,2>O<,3>ZnO薄膜的方法制备了一维 GaN 纳米结构,对其结构、形貌、组分和发光特性进行了深入的分析和研究,并对其发光机制和生长机制进行了探索，研究了缓冲层的特性及其对生长 GaN 纳米结构薄膜...
- 薛守斌
- 关键词：半导体材料氮化镓薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 一种估算集成电路辐照效应的方法
- 本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Q<S...
- 薛守斌王思浩谭斐安霞黄如张兴
- 文献传递
- 一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法
- 本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：I<Sub>ds</Sub>＝prob...
- 薛守斌王思浩黄如张兴
- 文献传递
- 一种抗辐照的多叉指CMOS器件
- 本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极...
- 王文华黄德涛黄如王阳元薛守斌
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- 氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响被引量：2
- 2008年
- 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。
- 庄惠照胡丽君薛成山薛守斌
- 关键词：GAN纳米棒氨化
- 一种分析CMOS器件位移损伤效应的方法
- 本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块...
- 薛守斌王思浩安霞黄如张兴
- 文献传递
- 衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响被引量：10
- 2006年
- 在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。
- 庄惠照何建廷薛成山张晓凯田德恒胡丽君薛守斌
- 关键词：PLDZNO
- 超深亚微米CMOS器件的辐射效应及其加固技术研究
- CMOS器件以其高速、低功耗、大规模集成、低价格和高成品率被广泛地应用于空间以及民用电子系统。随着器件尺寸进入超深亚微米量级,为了使器件继续满足电路工作要求,人们从结构和工艺上进行了多种改进。然而,这些改进在辐射环境下会...
- 薛守斌
- 关键词：加固技术
