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袁健

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：复旦大学物理学系李政道物理学综合实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金基础研究重大项目前期研究专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇掺硼
  • 2篇退火
  • 2篇快速退火
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性质
  • 1篇衍射
  • 1篇散射
  • 1篇散射谱
  • 1篇射线
  • 1篇喇曼
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱研究
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线衍射研...
  • 1篇硅

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇袁健
  • 2篇陆昉
  • 2篇杨敏
  • 2篇王建宝
  • 2篇黄大鸣
  • 1篇徐宏来
  • 1篇许强
  • 1篇邹世昌
  • 1篇卫星
  • 1篇沈鸿烈

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
1994年
对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．
袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌
关键词：分子束外延快速退火电学性质
重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究被引量：1
1995年
利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度(7.5×10^(29)—3.1×10^(20)cm^(-3)成正比,比例系数β为5.1.在此测量基础上,提出硼团簇的形成与分解是外延展晶格质量与电学性质变化的主要原因.
许强王建宝袁健陆昉孙恒慧
关键词：分子束外延掺硼快速退火X射线衍射
重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究被引量：1
1995年
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Ｔ＝２．５４ｐ￣０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ￣（－１）和１０￣１９ｃｍ￣（－３）为单位。提供了用喇曼光谱测量重掺硼分子束外延材料自由载流子浓度的测量的定标曲线。
王建宝袁健杨敏黄大鸣陆方孙恒慧
关键词：掺硼硅散射谱分子束外延
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共1页<1>
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