许志斌
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>
- 多晶Ce:Lu2SiO5闪烁粉体的核壳法制备及光学性能
- 许志斌
- 关键词：XAFSVUV
- 利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法
- 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体（LSO:Ce<Sup>3+</Sup>）的方法，属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是：采用St?ber法将正硅酸四乙酯（TEOS）在氨（NH<Sub...
- 施鹰许志斌林德宝谢建军范灵聪
- 文献传递
- Ce:Lu2SiO5发光粉体的溶胶-凝胶法制备及光谱性能
- 采用了溶胶一凝胶法合成制备了亚微米级多晶Ce：Lu2SiO5发光粉体。采用X射线衍射、透射电镜、紫外激发发射光谱对不同温度下合成粉体的物相、显微形貌及发光行为进行了表征。结果表明：在前躯体晶化过程中,在900℃条件下出现...
- 林挺许志斌施鹰邓莲芸任玉英谢建军
- 一种Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米棒发光粉体的溶剂热合成方法
- 本发明涉及一种Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米棒的溶剂热合成方法，涉及稀土纳米材料的制备及其显微结构的调控。该方法以商业稀土氧化物(氧化镥、氧化铕、氧化钕、氧化镨、氧化铥)为原料，先将它们分别用...
- 施鹰邱华军谢建军谢杰许志斌
- 文献传递
- 利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法
- 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体（LSO:Ce<Sup>3+</Sup>）的方法，属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是：采用St?ber法将正硅酸四乙酯（TEOS）在氨（NH<Sub...
- 施鹰许志斌林德宝谢建军范灵聪
- Ce：Lu2SiO5闪烁陶瓷的放电等离子烧结与发光性能被引量：3
- 2011年
- 以亚微米级单相铈离子掺杂硅酸镥(Ce:Lu2SiO5,LSO)发光粉体为原料,采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering)技术対多晶LSO闪烁陶瓷的制备方法进行了探索,同时对其发光性能进行了研究.在(1350℃/5min)的条件下实现了LSO粉体的快速致密化烧结,研制出了具有良好发光性能的半透明多晶LSO闪烁陶瓷,其相对密度达到理论密度的99.5%.在360nm紫外激发条件下,呈现位于380～600nm的宽峰发射行为.其相对发光强度达到LSO闪烁单晶的75%,发光衰减时间仅为9.67ns.该材料有望成为一种新型的高光输出、快衰减多晶闪烁材料.
- 林挺许志斌邓莲芸任玉英施鹰谢建军
- 关键词：闪烁陶瓷放电等离子烧结发光性能
- 稀土掺杂倍半氧化物基透明陶瓷制备与光谱性能研究
- 杨秋红施鹰谢建军顾峰张浩佳陆神洲范灵聪张斌林挺任玉英王剑邓莲芸许志斌史治法黄栋栋王永刚李韫含许健
- 方向一：稀土掺杂倍半氧化物基透明陶瓷制备与光谱性能研究(1)制备出了高透明度Nd<'3+>和Yb<'3+>离子掺杂的Y1.8La0.2O3透明陶瓷(样品直径10~35mm，厚度为3.0~10.0mm)，在激光输出波段直线...
- 关键词：
- 关键词：透明陶瓷激光装置
- Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能被引量：5
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明:薄膜样品从900℃开始晶化,1 100℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350～500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05,厚度与SEM测试结果相一致。
- 沈思情许志斌马清谢建军施鹰袁晖熊巍
- 关键词：真空紫外光谱光学常数
- 尿素辅助的共沉淀模板法制备LSO:Ce^(3+)发光粉体被引量：2
- 2011年
- 采用尿素辅助的共沉淀模板法,通过在单分散的SiO2微球模板上包覆Lu(OH)3制备出了具有核-壳结构的SiO2@Lu(OH)3粉体颗粒,经煅烧后得到了LSO:Ce3+荧光粉体.结果发现煅烧温度对荧光粉的相组成和形貌都产生了很大影响.当在1200℃下煅烧2 h时,得到了单相LSO:Ce3+粉体.在900℃煅烧后的粉体颗粒呈球形,粒径大约为400～500 nm,随着煅烧温度的升高,粉体形状变得不规则,而且有团聚现象.采用PL光谱仪对1200℃煅烧的粉体进行了光学性能表征,结果表明其激发谱中的最强激发峰位于360 nm处,发射谱表现为位于384～440 nm范围内宽发射峰中心420 nm,归因为Ce3+的5d→4f间的电子跃迁.
- 许志斌范灵聪林德宝沈思情施鹰许钫钫谢建军
- 一种稀土离子掺杂硅酸镥多晶薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种稀土离子Re<Sup>3+</Sup>(Re=Ce,Tb)掺杂的Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>(LSO)多晶发光薄膜的制备方法，属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的...
- 谢建军沈思情马清施鹰许志斌郭靖
- 文献传递
