沈思情
- 作品数：8 被引量：6H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术环境科学与工程语言文字更多>>
- Pechini溶胶-凝胶法制备LuAG:Tb薄膜的显微结构及发光性能
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺制备了Tb^(3+)掺杂Lu_3Al_5O_(12)(简称LuAG:Tb)发光薄膜。前驱体薄膜在850℃左右锻烧得到单一石榴石相的LuAG:Tb薄膜。LuAG薄膜的发射光谱(268nm紫外光激发)对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7E_J(J=6～0)和~5D_3→~7F_J特征跃迁,光谱强度随Tb^(3+)掺杂浓度的升高先增强后减弱,在x(Tb^(3+))=2.0%时光谱强度最强,其发光衰减时间为5.14ms。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察显示LuAG薄膜的颗粒度大小和表面粗糙度随煅烧温度的升高而增大。
- 王剑沈思情谢建军施鹰王宇林挺袁晖艾飞
- 关键词：显微结构
- 稀土离子掺杂镥铝石榴石发光薄膜的制备方法
- 本发明涉及到一种稀土离子掺杂镥铝石榴石发光薄膜的制备方法，属无机发光薄膜材料制备工艺技术领域。该发光薄膜可应用于医学成像等领域。本发明方法的主要过程是：首先以柠檬酸络合剂、以聚乙二醇为交朕剂，用硝酸镥、硝酸铝和稀土硝酸盐...
- 谢建军王剑施鹰沈思情邓莲芸
- 文献传递
- Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能被引量：5
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明:薄膜样品从900℃开始晶化,1 100℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350～500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05,厚度与SEM测试结果相一致。
- 沈思情许志斌马清谢建军施鹰袁晖熊巍
- 关键词：真空紫外光谱光学常数
- Ce<Sup>3+</Sup>掺杂铝酸镥多晶发光薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种Ce<Sup>3+</Sup>掺杂铝酸镥(Lu<Sub>3</Sub>Al<Sub>5</Sub>O<Sub>12</Sub><Sub/>)多晶发光薄膜的制备方法，属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发...
- 谢建军马清沈思情施鹰马飞中许健
- 文献传递
- Tb3+/Ce3+共掺杂Lu2SiO5薄膜制备与性能研究
- Tb具有5D4→7F5的特征能级跃迁，能在许多基质中于540 nm附近产生特征绿光发射，但Tb的猝灭浓度较高且价格昂贵，廉价的Ce作为Tb的敏化剂，可大幅度地提高Tb的发射。
- 谢建军张方圆王宇林德宝汪暾沈思情施鹰雷芳章蕾
- 关键词：发光薄膜
- 尿素辅助的共沉淀模板法制备LSO:Ce^(3+)发光粉体被引量：2
- 2011年
- 采用尿素辅助的共沉淀模板法,通过在单分散的SiO2微球模板上包覆Lu(OH)3制备出了具有核-壳结构的SiO2@Lu(OH)3粉体颗粒,经煅烧后得到了LSO:Ce3+荧光粉体.结果发现煅烧温度对荧光粉的相组成和形貌都产生了很大影响.当在1200℃下煅烧2 h时,得到了单相LSO:Ce3+粉体.在900℃煅烧后的粉体颗粒呈球形,粒径大约为400～500 nm,随着煅烧温度的升高,粉体形状变得不规则,而且有团聚现象.采用PL光谱仪对1200℃煅烧的粉体进行了光学性能表征,结果表明其激发谱中的最强激发峰位于360 nm处,发射谱表现为位于384～440 nm范围内宽发射峰中心420 nm,归因为Ce3+的5d→4f间的电子跃迁.
- 许志斌范灵聪林德宝沈思情施鹰许钫钫谢建军
- 一种稀土离子掺杂硅酸镥多晶薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种稀土离子Re<Sup>3+</Sup>(Re=Ce,Tb)掺杂的Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>(LSO)多晶发光薄膜的制备方法，属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的...
- 谢建军沈思情马清施鹰许志斌郭靖
- 文献传递
- 稀土离子掺杂Lu2SiO5多晶薄膜的溶胶凝胶法制备和发光性能
- 沈思情
- 关键词：发光性能TB3+
