许文祥
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基底温度对c-Si(100)面生长a-Si∶H薄膜结构特性影响的分子动力学模拟研究被引量：1
- 2014年
- 运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程。Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算。结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少。进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致。悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起。
- 周耐根胡秋发许文祥吴小元黄海宾周浪
- 关键词：氢化非晶硅分子动力学
- 硅晶体生长的分子动力学模拟研究
- 晶硅太阳电池是太阳能光伏产业的主流,其材料--硅晶体均来源于熔体硅的结晶生长。随着市场对晶体硅质量和降低成本的要求不断提高,有必要对硅的晶体生长开展基础性研究,以更精确地指导硅晶体的生产。本文以硅为研究对象,运用分子动力...
- 许文祥
- 关键词：晶体硅势函数分子动力学模拟生长速率
- 文献传递
- 硅熔化特性的分子动力学模拟——不同势函数的对比研究被引量：5
- 2013年
- 分别采用Stillinger-Weber(SW)势、修正的成熟原子嵌入模型(MEAM)势、Tersoff势和HOEP(highly optimized empirical potential)势来描述硅原子间相互作用,运用分子动力学方法对比模拟研究了四种势函数的硅晶体的体熔化和表面熔化特性.结果表明:四种势函数均能反映出硅的热膨胀、高温熔化和熔化时吸热收缩等基本物理规律.但综合对比发现,Tersoff势和MEAM势相对更适合描述硅的熔化和凝固过程,SW势次之,HOEP势则不适合描述硅的熔化和凝固过程.
- 周耐根胡秋发许文祥李克周浪
- 关键词：硅势函数熔化分子动力学
