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胡秋发

作品数:4 被引量:11H指数:2
供职机构:南昌大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:江西省自然科学基金国家自然科学基金江西省教育厅资助项目更多>>
相关领域:电子电信化学工程理学电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇动力学
  • 3篇分子
  • 3篇分子动力学
  • 1篇电池
  • 1篇丁基
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇预聚
  • 1篇预聚物
  • 1篇熔化
  • 1篇熔化特性
  • 1篇势函数
  • 1篇叔丁基
  • 1篇缩水甘油
  • 1篇缩水甘油醚
  • 1篇太阳电池
  • 1篇涂料
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇紫外光固化
  • 1篇紫外光固化涂...
  • 1篇基底温度

机构

  • 4篇南昌大学

作者

  • 4篇胡秋发
  • 2篇许文祥
  • 2篇周浪
  • 2篇周耐根
  • 1篇吴小元
  • 1篇黄海宾
  • 1篇邓冲
  • 1篇黄笔武
  • 1篇李克
  • 1篇周宽
  • 1篇程桂亮
  • 1篇谌伟庆

传媒

  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基底温度对c-Si(100)面生长a-Si∶H薄膜结构特性影响的分子动力学模拟研究被引量:1
2014年
运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程。Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算。结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少。进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致。悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起。
周耐根胡秋发许文祥吴小元黄海宾周浪
关键词:氢化非晶硅分子动力学
叔丁基酚缩水甘油醚丙烯酸酯的合成及其在紫外光固化涂料中的应用被引量:6
2013年
以叔丁基酚缩水甘油醚和丙烯酸为主要原料,三苯基膦为催化剂,对羟基苯甲醚为阻聚剂,合成一种新型的活性稀释剂——叔丁基酚缩水甘油醚丙烯酸酯。通过对反应时间、反应温度、反应转化率、产物色泽和体系黏度等考察,得出较佳反应条件:温度为100~110℃,三苯基膦的质量分数为0.7%~0.9%,对羟基苯甲醚质量分数为0.2%~0.3%。将合成的活性稀释剂和光引发剂加入到双酚A型环氧丙烯酸酯树脂中配成紫外光固化涂料,对涂膜进行了拉伸、硬度、柔韧性等测试。结果表明:此预聚物配成的涂料具有较好的力学和热性能。
邓冲黄笔武周宽程桂亮胡秋发谌伟庆
关键词:丙烯酸预聚物紫外光固化
a-Si:H/c-Si薄膜生长的分子动力学模拟研究
a-Si:H/c-Si异质结太阳电池既利用了薄膜制造工艺的优势,同时又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。本文尝试应用分子动力学模拟研究a-Si:H/c-Si薄膜生长,主要模拟考察...
胡秋发
关键词:硅太阳电池分子动力学
文献传递
硅熔化特性的分子动力学模拟——不同势函数的对比研究被引量:4
2013年
分别采用Stillinger-Weber(SW)势、修正的成熟原子嵌入模型(MEAM)势、Tersoff势和HOEP(highly optimized empirical potential)势来描述硅原子间相互作用,运用分子动力学方法对比模拟研究了四种势函数的硅晶体的体熔化和表面熔化特性.结果表明:四种势函数均能反映出硅的热膨胀、高温熔化和熔化时吸热收缩等基本物理规律.但综合对比发现,Tersoff势和MEAM势相对更适合描述硅的熔化和凝固过程,SW势次之,HOEP势则不适合描述硅的熔化和凝固过程.
周耐根胡秋发许文祥李克周浪
关键词:势函数熔化分子动力学
共1页<1>
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