谷建东
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：大连民族学院理学院光电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 用于光谱测量的光电二极管阵列驱动设计
- 2008年
- 为实现高动态范围多通道光谱测量,优化设计了光电二极管阵列S3924驱动电路。电路由时序产生单元、信号采集单元、控制单元3个功能模块组成。该电路使用一片EPM7064 CPLD作为光生电荷转移和信号采集的时序发生器;探测器输出信号被两个放大器同时放大,利用高速模拟开关切换方法,在单幅光谱测量中实现两级信号增益;为了防止探测器过饱和,设计了自动读出功能。最后对光谱信号噪声水平进行了评价,该噪声峰谷值小于0.01 V,标准偏差在0.002 V以下。
- 冯志庆谷建东白兰
- 关键词：驱动电路噪声
- ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的研究被引量：3
- 2009年
- 本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响。在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小。而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高。增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小。本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究。结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少。结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨。
- 谷建东李东明冯志庆牛金海刘东平
- 关键词：氟化非晶碳薄膜原子力显微镜发射光谱
- DBD-PECVD法制备高疏水性氟碳聚合物(a-C:F)薄膜的研究
- 2009年
- 以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-C:F薄膜疏水性的影响。实验结果表明,薄膜的沉积速率随放电压力的升高而增大,最大值为193 nm.min-1;当放电压力较低时,薄膜的RMS值小于1.0 nm;放电压力较高时,薄膜的RMS值大于100 nm。无论是改变放电压力还是沉积时间,a-C:F薄膜均表现出很强的疏水特性,最大接触角(以普通滤纸为基底)可达137°。a-C:F薄膜的表面粗糙度是影响a-C:F薄膜疏水性的重要因素。
- 尹晔珺李东明刘东平谷建东牛金海冯志庆
- 关键词：接触角
- 聚四氟乙烯结构氟碳聚合物薄膜的研究进展
- 2007年
- 聚四氟乙烯结构氟碳聚合物(Polytetrafluoroethylene-like fluorocarbon,PTFE-like FC)薄膜具有超低介电常数、高疏水性和生物相容性等优点.综述了国外制备PTFE-like FC薄膜的实验进展,分析了PTFE-like FC薄膜可能的沉积机理,指出热丝化学气相沉积(HFCVD)和射频等离子体辅助的化学气相沉积(rf-PECVD)这2种方法更有利于减少离子对薄膜表面的轰击作用,被认为是目前沉积PTFE-like FC薄膜最好的2种方法.介绍了利用介质阻挡放电(DBD)方法在低气压下制备PTFE-like FC薄膜的最新进展.
- 谷建东李东明冯志庆牛金海刘东平
- 关键词：介电常数热丝化学气相沉积
- ICP-CVD法制备氟碳薄膜的实验研究
- 氟碳/(FC/)薄膜由于具有较低的介电常数/(可达2.0±0.1/)、良好的热稳定性、粘附性,较低的表面能、折射率低等特性,已经引起了工业界的广泛关注。随着元器件特征尺寸减小,尺寸比增大,新型缺陷限制了电、光学材料的新一...
- 谷建东
- 关键词：等离子体
- 文献传递
