贾刚
- 作品数：65 被引量：48H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省高等教育教学研究课题更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- GaAs高速集成电路内部动态特性直接电光采样检测
- 1994年
- 研制成功GaAs高速集成电路直接电光采样测试系统.采用共轴反射式光路,对样品进行背面直接采样.用研制的微波探针在片驱动GaAs高速数字集成电路管芯,使之处于正常工作状态.测试系统的时间分辨率高于20ps,空间分辨率为3μm.利用该系统在片检测了GaAs高速数字集成电路动态分频器内部的高速电信号.
- 孙伟田小建贾刚孙建国衣茂斌马振昌王国全
- 关键词：电光采样砷化镓数字集成电路
- 硅材料场致二阶非线性光学效应的理论和实验研究
- 硅是目前应用最为广泛、工艺最为成熟的传统半导体材料，它不仅是微电子学领域的主体材料，也是发展集成光学、集成光电子学的首选材料。由此发展起来的硅基光电子学、硅光子学已经成为目前的研究热点之一。制约硅光子学发展的重大障碍有两...
- 陈占国贾刚刘秀环赵建勋张玉红朱景程孙鉴波张志平
- 关键词：硅材料光学效应
- 文献传递
- [111]方向电场诱导的硅的倍频效应
- 理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3v点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{1(1)0}面入射,从而研究硅的场致倍...
- 刘秀环陈占国贾刚
- 关键词：硅晶体倍频效应
- 文献传递
- 微型电光探针的研制被引量：2
- 2002年
- 介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针 .用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌 .微探针为金字塔形 ,底座是边长为 2 0 μm的正方形 ,尖端尺寸在 2 μm左右 .侧面比较光滑 ,棱角分明 .微型电光探针整体尺寸很小 ,在外电光检测系统中可以显著降低对被测电场的影响 ,从而提高测量精度 .
- 李海兰贾刚张晓婷周志雄陈占国
- 关键词：湿法腐蚀GAAS晶体
- 硅材料场致等效二阶极化率张量的研究被引量：4
- 2005年
- 具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的作用,利用(eχf2f)=χ(3).E这一关系和张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下,具体在方向分别沿[111][、110]和[001]的电场作用下,得到的等效二阶极化率张量(eχf2f)分别与C3v、C2v和C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式,说明在物理性质方面,硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v和C4v群,因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质;提出了电场E沿任意方向时硅的等效二阶极化率张量e(χf2f)的计算方法,对研究硅材料和其他具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性质实验具有指导意义。
- 刘秀环陈占国贾刚张晓婷张玉红
- 关键词：非线性光学双光子吸收
- 立方氮化硼晶体的硅掺杂
- 立方氮化硼(cBN)是禁带宽度最大的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,约为6.4eV,其热导率仅次于金刚石,约13 W/cm·K,本征击穿电场高达8×106V/cm,有很高的化学稳定性、热稳定性,以及很强的抗高能粒子辐射能力,而且能够...
- 李鑫璐冯双王琦刘秀环侯丽新高延军贾刚陈占国
- 增益开关半导体激光超短脉冲研究被引量：1
- 1996年
- 本文对增益开关法产生半导体激光超短脉冲进行了理论分析和实验研究，得到一些有意义的结论．
- 贾刚衣茂斌孙伟高鼎三
- 关键词：超短脉冲半导体激光器增益开关
- 硅光电二极管的双光子响应被引量：4
- 2001年
- 报道用连续光 1 .3 μm In Ga As P半导体激光器探测硅光电二极管中的双光子响应 (我们把倍频效应和双光子吸收统称为双光子响应 ) .通过实验 。
- 刘云龙贾刚周志雄陈占国
- 关键词：双光子吸收倍频硅光电二极管
- 可调谐主动锁模半导体激光器实验研究被引量：1
- 1996年
- 本文报道了利用平面反射光栅构成的可调谐主动锁模半导体外腔激光器的实验结果，获得了半极大全宽度３ｐｓ，峰值功率６００ｍＷ，中心波和１．２９μｍ，重复率１ＧＨｚ的超短激光脉冲．
- 贾刚衣茂斌高鼎三
- 关键词：可调谐主动锁模半导体激光器激光器
- 半球形和球形双光子响应半导体光电探测器
- 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：...
- 贾刚陈占国刘秀环时宝
- 文献传递
