刘秀环
- 作品数：49 被引量：13H指数：3
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- 硅材料场致二阶非线性光学效应的理论和实验研究
- 硅是目前应用最为广泛、工艺最为成熟的传统半导体材料，它不仅是微电子学领域的主体材料，也是发展集成光学、集成光电子学的首选材料。由此发展起来的硅基光电子学、硅光子学已经成为目前的研究热点之一。制约硅光子学发展的重大障碍有两...
- 陈占国贾刚刘秀环赵建勋张玉红朱景程孙鉴波张志平
- 关键词：硅材料光学效应
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- [111]方向电场诱导的硅的倍频效应
- 理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3v点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{1(1)0}面入射,从而研究硅的场致倍...
- 刘秀环陈占国贾刚
- 关键词：硅晶体倍频效应
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- 半球形双光子响应GaAs探测器研究与Si探测器设计
- 首次将固浸透镜技术与双光子响应探测器的研究相结合,制作了半球形半绝缘GaAs探测器。在1.3μm连续激光的作用下,探测器的响应度在2 mA/W以上(25V偏压);与同种材料的块状GaAs探测器相比, GaAs半球作为固浸...
- 刘秀环
- 关键词：GAASSI双光子
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- 一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法
- 一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层，然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维...
- 陈占国赵泽利陈曦赵纪红刘秀环侯丽新高延军
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- 硅材料场致二阶非线性极化率张量的理论推导
- 本文应用并矢和张量运算及变换理论，分别推导出了硅材料在[001]及[011]晶向加电场后其等效的二阶非线性极化率张量的形式，证明此时硅材料的对称性分别降低为4mm和2mm点群对称性。
- 陈占国贾刚刘秀环张晓婷刘海波李海兰窦庆萍张玉红
- 关键词：硅材料晶向
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- 基于多层感知神经网络的多进制LDPC码的译码方法
- 本发明公开了基于多层感知神经网络的多进制LDPC码的译码方法，属于通信技术领域，具体包括接收符号数据信息、FHT‑BP译码算法、多层感知神经网络译码、判决条件、比特翻转及输出判定的比特流；其中，接收符号数据信息是由接收端...
- 刘秀环王寓言
- 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法
- 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...
- 陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军
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- 超半球型电光固浸透镜
- 本发明属电光检测技术领域，具体涉及一种超半球型电光固浸透镜。理论上这种超半球型电光固浸透镜可以使得电光检测系统的空间分辨率提高n<Sup>2</Sup>倍，n为电光固浸透镜的折射率。超半球型电光固浸透镜是一个球体沿平行于...
- 陈占国贾刚刘秀环高延军朱景程
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- 硅材料场致等效二阶极化率张量的研究
- 具有反演对称中心的硅单品在电场作用下体内的反演对称中心消<br> 失，因两理论上应严生偶数阶非线性极化率。本文从<br> 理论上根据矢量与张量的作用，利用X(2)eff=X(3)·E...
- 刘秀环陈占国贾刚张晓婷张玉红
- 关键词：硅材料电场作用非线性光学
- 硅材料场致等效二阶极化率张量的研究被引量：4
- 2005年
- 具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的作用,利用(eχf2f)=χ(3).E这一关系和张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下,具体在方向分别沿[111][、110]和[001]的电场作用下,得到的等效二阶极化率张量(eχf2f)分别与C3v、C2v和C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式,说明在物理性质方面,硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v和C4v群,因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质;提出了电场E沿任意方向时硅的等效二阶极化率张量e(χf2f)的计算方法,对研究硅材料和其他具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性质实验具有指导意义。
- 刘秀环陈占国贾刚张晓婷张玉红
- 关键词：非线性光学双光子吸收
