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9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽有机纳米线的制备与性质表征被引量：1: 2014年; 利用再沉淀法制备9,10-二（3,5-二氟苯乙烯基）蒽（TFDSA）有机纳米线,并通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和光致发光光谱（PL）表征所制备的纳米线。结果表明：纳米线表面光滑,长度为20-30μm,宽度为400 nm,具有较强的绿色荧光发射,发光峰位于538 nm 处；将单根 TFDSA 纳米线作为有源波导可在亚微米量级进行光传播。; 王颖赵纪红刘连庆徐斌; 关键词：有机纳米材料纳米线波导

表面改性硅的超快激光脉冲制备及光电特性研究被引量：1: 2020年; 为将单晶硅的吸收限拓展至近红外波段以满足光通讯之需求,利用纳秒激光脉冲辐照单晶硅表面制得了表面结构化的硅.研究了能量密度从0.39 J/cm^2到24 J/cm^2的激光脉冲辐照后结构化硅表面的形貌差异.测试并分析了不同能量密度的激光脉冲辐照后结构化硅的反射率、透过率和吸收率等光学性质.研究发现,相比于单晶硅衬底,所有结构化硅样品都表现出近红外吸收增强特性,对1500 nm的近红外光的吸收率高达55%.进而对改性硅样品的红外吸收的热稳定性进行了研究.在473~1073 K的温度范围内对改性硅样品进行退火,通过分析改性硅的反射率、透过率和吸收率随退火温度的变化规律,发现热退火处理会轻微降低改性硅样品的红外区吸收率,吸收率降低幅度低于10%.最后,通过分析脉冲激光改性硅的拉曼光谱,获得了改性硅的晶体结构信息.经过纳秒激光脉冲辐照后,硅表面处于无序化状态,形成非晶或多晶相,但是后热退火工艺可以有效改善结构化硅表面的晶体质量.; 杨洋李超赵纪红; 关键词：红外吸收热退火硅脉冲激光

应力诱导的硅表面二次谐波的产生: 本文阐述了体二次谐波的产生及表面二次谐波的产生的基本原理,结合理论研究了Si(111)表面及Si(111)/SiO_2界面二次谐波的产生。Si是具有反演对称中心的立方晶体,体对称性属于Oh点群,其二阶非线性电极化率张量X...; 赵纪红; 关键词：SI(111); 文献传递

一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...; 陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军; 文献传递

一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法: 一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术，通过BCl3+NH3→hBN+HCl反应在衬底上...; 陈占国范盛达刘晓航陈曦侯丽新刘秀环赵纪红高延军

一种氮化镁薄膜及其制备方法: 一种氮化镁(Mg3N2)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放...; 陈占国王帅陈曦赵纪红刘秀环侯丽新李方野高延军; 文献传递

一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法: 一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层，然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维...; 陈占国赵泽利陈曦赵纪红刘秀环侯丽新高延军; 文献传递

一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...; 陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军; 文献传递

一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法: 一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌...; 孙浩航陈占国刘晓航张文博陈曦赵纪红侯丽新刘秀环高延军; 文献传递

一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法: 一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明以c面蓝宝石为衬底，采用反应射频磁控溅射技术在衬底上生长氮化铝薄膜，然后以“面对面”的退火方式改善氮化铝薄膜的结晶质量，再通过磁控溅射或电子束蒸发的...; 陈占国张文博陈曦孙浩航刘晓航赵纪红刘秀环侯丽新高延军

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赵纪红