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高延军

作品数：16 被引量：4H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：吉林省高等教育教学研究课题更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程语言文字文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字
  • 1篇理学

主题

  • 7篇氮化硼薄膜
  • 7篇溅射
  • 7篇磁控
  • 6篇半导体
  • 5篇射频磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇氮化
  • 4篇原位掺杂
  • 4篇探测器
  • 4篇溅射功率
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇掺杂
  • 3篇氮化镁
  • 3篇氮化硼
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇六方氮化硼
  • 3篇半导体掺杂
  • 2篇电光

机构

  • 16篇吉林大学

作者

  • 16篇高延军
  • 15篇陈占国
  • 14篇刘秀环
  • 12篇侯丽新
  • 11篇陈曦
  • 11篇赵纪红
  • 6篇王帅
  • 5篇刘晓航
  • 5篇贾刚
  • 3篇张文博
  • 2篇王鑫
  • 2篇朱景程
  • 1篇常玉春
  • 1篇李传南
  • 1篇王丽杰
  • 1篇孙晓强

传媒

  • 1篇理工高教研究

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2012
  • 1篇2008
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...
陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军
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超半球型电光固浸透镜
本发明属电光检测技术领域，具体涉及一种超半球型电光固浸透镜。理论上这种超半球型电光固浸透镜可以使得电光检测系统的空间分辨率提高n<Sup>2</Sup>倍，n为电光固浸透镜的折射率。超半球型电光固浸透镜是一个球体沿平行于...
陈占国贾刚刘秀环高延军朱景程
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IC人才培养中系列课程改革与教学实践研究被引量：4
2008年
探索了大学本科集成电路人才培养中集成电路分析与设计系列课程的改革与教学实践。具体以吉林大学为例,介绍了相关系列课程建设中课程体系和教学内容的构建以及所开展的教学实践工作。
李传南高延军孙晓强王丽杰常玉春贾刚
关键词：集成电路课程建设教学实践
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...
陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军
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一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法
一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术，通过BCl<Sub>3</Sub>+NH<Sub>3</Sub>→hBN+HCl反应在衬底上...
陈占国范盛达刘晓航陈曦侯丽新刘秀环赵纪红高延军
一种氮化镁薄膜及其制备方法
一种氮化镁(Mg<Sub>3</Sub>N<Sub>2</Sub>)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放...
陈占国王帅陈曦赵纪红刘秀环侯丽新李方野高延军
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一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法
一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层，然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维...
陈占国赵泽利陈曦赵纪红刘秀环侯丽新高延军
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一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法
一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn...
陈占国王鑫侯丽新刘秀环全海燕王帅高延军贾刚
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一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法
一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌...
孙浩航陈占国刘晓航张文博陈曦赵纪红侯丽新刘秀环高延军
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一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法
一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明以c面蓝宝石为衬底，采用反应射频磁控溅射技术在衬底上生长氮化铝薄膜，然后以“面对面”的退火方式改善氮化铝薄膜的结晶质量，再通过磁控溅射或电子束蒸发的...
陈占国张文博陈曦孙浩航刘晓航赵纪红刘秀环侯丽新高延军
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