赵俊
- 作品数：69 被引量：64H指数：5
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 非晶衬底上择优取向ZnO纳米晶薄膜的溶胶-凝胶法制备技术被引量：3
- 2007年
- 使用一种新的溶胶-凝胶技术制备了ZnO固体薄膜,此技术的特点在于操作简单、环保、实用。此技术可在非晶基片(如玻璃、石英等)上制备c轴择优取向的大面积ZnO纳米晶薄膜。薄膜的红外透过率高,具备制作无机红外-紫外双色探测器的紫外光敏材料和光伏有机太阳能电池、有机红外探测器的透明导电电极等光电子器件的材料应用价值。
- 唐利斌郑云段瑜张筱丹赵俊吴刚黄晖宋炳文杨彦姬荣斌
- 关键词：ZNO溶胶-凝胶XRDFT-IR
- 一种防脱落籽晶夹头
- 本实用新型提供一种防脱落籽晶夹头，包括其内设空腔的壳体，自下而上依次设置在壳体空腔中的夹头、压块及锁紧螺柱，壳体前端设为直径逐渐减小且端口敞开的圆锥形端头，夹头设为锥形夹头，且该锥形夹头由两个相同的左、右半体组成，并置于...
- 董卫民彭倩文段碧雯庹梦寒姜军赵文陈少璠褚德亮孔金丞赵俊姬荣斌
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
- 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法
- 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备，该靶...
- 孔金丞孔令德赵俊王光华张鹏举姬荣斌
- 文献传递
- 半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法
- 半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，涉及半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，尤其是使用廉价的乙二醇和硫酸为原料，使用工艺简单的液相化学反应法制成溶液然后旋涂再高温退火处理得到光电性能良好的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法。...
- 唐利斌姬荣斌项金钟张倩袁绶章赵俊孔金丞郑云魏虹洪建堂铁筱滢左大凡康蓉王向前王燕韩福忠
- 高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究
- 2023年
- 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。
- 覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊
- 关键词：中波红外碲镉汞噪声等效温差
- MBE生长中波HgCdTe薄膜材料温度控制被引量：2
- 2007年
- 报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围。通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MCT生长时可以达到±1℃。生长得到的样品,表面光亮,组分、厚度均匀性好,X射线双晶回摆曲线半峰宽为72 arcsec。
- 李艳辉王善力宋立媛孔金丞赵俊张筱丹唐利斌姬荣斌
- 关键词：HGCDTEMBE红外测温仪
- CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延方法,在GaAs(111)B衬底上,生长CdTe薄膜,以求研制出用于液相外延生长碲镉汞(HgCdTe)薄膜的CdTe/GaAs(111)B复合衬底。通过理论分析和实验探索,优化了生长温度和Te/Cd束流比等重要生长参数,获得了质量较好的CdTe薄膜,再通过循环热处理,使CdTe/GaAs(111)B复合衬底的质量得到进一步的提高,X-射线回摆曲线半峰宽(FWHM)有明显的降低。为LPE-HgCdTe薄膜的生长打下了较好基础。
- 杨玉林赵俊杨宇姬荣斌
- 关键词：MBECDTEGAASHGCDTE
- 立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术被引量：1
- 2007年
- 首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37eV)大。AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的。
- 唐利斌段瑜郑云张筱丹赵俊周旭昌吴刚黄晖宋炳文姬荣斌
- 关键词：ZNMGO化学溶液法椭圆偏振光谱X射线衍射
- 变温循环热处理对液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料晶体质量的影响
- 2007年
- 采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度(EPD)技术对开管变温热处理前后的液相外延(LPE)Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究。变温循环热处理能有效减小液相外延Hg1-xCdxTe薄膜材料的FWHM、释放材料中的应力、减少材料的腐蚀坑密度,说明变温循环热处理是一种简单而有效的改善Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量的方法。
- 孔金丞李艳辉赵俊唐利斌姬荣斌
- 关键词：HG1-XCDXTEFWHMEPD
