李艳辉
- 作品数：51 被引量：52H指数：4
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种分子束外延设备上防止光学窗口污染的装置
- 本实用新型公开了一种分子束外延设备上防止光学窗口污染的装置，该装置包括带有电加热玻璃和支撑架；所述电加热玻璃朝下的一面设置有导电薄膜，导电膜的电极处连接有供电线；所述装置通过支撑架固定在腔室观察窗位置，支撑架的圆框正好放...
- 杨春章王善力孔金丞李艳辉陈卫业杨晋赵丽姬荣斌
- 分子束外延生长Hg1-_xCd_xTe材料原位退火研究
- 2009年
- 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-xCdxTe材料的电学性能。研究表明Hg1-xCdxTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义。
- 苏栓李艳辉周旭昌杨春章谭英高丽华李全保
- 关键词：HG1-XCDXTE
- 分子束外延(MBE)生长用Ge(211)衬底生长前腐蚀
- 本文介绍了通过使用碱性腐蚀液NH4OH:H2O2:H2O多次次循环腐蚀处理,以及酸性腐蚀液H3PO4:H2O2:H2O快速腐蚀的组合腐蚀方法,对Ge (211)衬底进行生长前处理,能够有效去除GeO2氧化层,人工制备了G...
- 杨春章李艳辉谭英齐航高丽华赵俊李东升
- 关键词：MBE化学腐蚀RHEEDEPDXRD
- InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析被引量：1
- 2022年
- 利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析。结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(>60 mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导。并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×10^(15)~1×10^(16) cm^(−3)是优化的掺杂浓度。
- 李俊斌刘爱民蒋志杨晋杨雯孔金丞李东升李艳辉周旭昌
- 关键词：INAS/GASB超晶格长波红外探测器暗电流
- 一种防止分子束外延过程中束源炉炉口沉积残留物的装置
- 本发明公开了一种防止分子束外延过程中束源炉炉口沉积残留物的装置，该装置包括铠装加热套和用于支撑所述铠装加热套的支撑架；所述铠装加热套安装在束源炉炉口处且束源炉炉口位于铠装加热套的内部，铠装加热套的温度高于残留物的蒸发温度...
- 李艳辉王善力杨春章孔金丞陈卫业杨晋赵丽姬荣斌赵鹏赵俊
- 分子束外延锗基碲镉汞薄膜及光电性能研究
- 分子束外延锗基碲镉汞薄膜具有大面积、高均匀、低成本、表面质量高等特点,易于实现双/多色探测,是发展新一代红外焦平面探测器的重要选择.本文报道了分子束外延锗基短波、中波和短波/中波双色碲镉汞薄膜材料以及320×2...
- 赵俊李艳辉杨春章谭英王晓璇韩福忠姬荣斌孔金丞
- 关键词：分子束外延光电性能
- InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格能带结构研究
- 2021年
- 本文通过k·p方法研究了传统InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格的能带结构。首先,计算了不同周期厚度的InAs/GaSb超晶格的能带结构,得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构。然后,计算了用于超晶格长波探测器结构的M结构超晶格的能带结构,并给出长波InAs/GaSb超晶格与M结构超晶格之间的带阶。最后,基于能带结构,计算出长波超晶格与M结构超晶格的态密度,进而得出的载流子浓度(掺杂浓度)与费米能级的关系。这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供基础。
- 李俊斌刘爱民蒋志孔金丞李东升李艳辉周旭昌杨雯
- 关键词：INAS/GASB超晶格
- 一种基于指数模型的砷束源炉阀位控制方法
- 本发明公开了一种基于指数模型的砷束源炉阀位控制方法，根据分子束外延设备中生长过程砷束源炉束流和生长出的砷锑双V族材料组分变化趋势，获得砷束源炉束流变化指数模型，通过基于指数模型砷阀位控制，实现对砷束源炉束流的精确控制。本...
- 张健常超杨绍培殷瀚翔岳彪王海澎李艳辉邓功荣孔金丞赵鹏
- RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1
- 2008年
- 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。
- 曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力
- 关键词：分子束外延HGCDTE
- 一种用于二类超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法
- 本发明公开了一种用于超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法，包括：(1)沿二类超晶格生长方向将单个周期厚度内的超晶格非均匀地离散为N层，形成N个节点；(2)将薛定谔方程中的哈密顿量按照k<Sub>z</Sub>的阶数展开并...
- 蒋志李俊斌黄佑文周旭昌杨春章李艳辉孔金丞
