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邵秀华

作品数:27 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国载人航天工程基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学电子电信轻工技术与工程天文地球更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇天文地球
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 17篇碲镉汞
  • 14篇气相外延
  • 8篇石英
  • 5篇砂口
  • 5篇气相外延生长
  • 4篇电学参数
  • 4篇碲镉汞材料
  • 3篇等温
  • 3篇套管
  • 3篇气相
  • 3篇晶体
  • 3篇光谱
  • 3篇N型
  • 3篇CD
  • 2篇电子数据
  • 2篇信号
  • 2篇样片
  • 2篇载流子
  • 2篇真空
  • 2篇真空脱气

机构

  • 27篇中国科学院

作者

  • 27篇林杏潮
  • 27篇邵秀华
  • 26篇张莉萍
  • 23篇王仍
  • 23篇陆液
  • 22篇焦翠灵
  • 17篇杜云辰
  • 15篇张可锋
  • 12篇李向阳
  • 10篇徐国庆
  • 10篇陆荣
  • 7篇张可峰
  • 5篇杨晓阳
  • 3篇龚海梅
  • 2篇陈新禹
  • 2篇宋坤骏
  • 2篇戴宁
  • 2篇胡淑红
  • 2篇葛进
  • 2篇萧继荣

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇光子学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量:5
2014年
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可峰杜云辰李向阳张莉萍邵秀华林杏潮
关键词:气相外延拉曼光谱
一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法
本发明公开了一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法,在常规前道工艺中,晶体锭条经内圆切割以后形成一定厚度的晶片,然后经过热蜡贴片工艺进行研磨和精抛。但蜡的引入很难去除干净,在后继的外延工艺中会引入污染。即使经过热三氯乙烯沸腾热...
王仍李向阳焦翠灵张可峰杜云辰张莉萍林杏潮陆液邵秀华
文献传递
Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究被引量:1
2015年
利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).
焦翠灵王仍张莉萍林杏潮邵秀华杜云辰陆液
关键词:碲镉汞雪崩光电二极管红外透射光谱
多样品霍尔效应测试设备
一种基于多样品霍尔效应测试设备,系为多片样片霍尔效应测试设备,主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收,测试过程中被测样品的自动切...
杨晓阳陈新禹林杏潮陆荣邵秀华张莉萍
文献传递
Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量:2
2015年
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
王仍焦翠灵徐国庆张莉萍张可锋陆液杜云辰邵秀华林杏潮李向阳
关键词:磁输运二次离子质谱
一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器
本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器,该石英容器由用99.99999%的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子,石英盒为圆柱体杯状结构,石...
王仍李向阳林杏潮张莉萍张可峰焦翠灵陆液邵秀华陆荣
碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法
本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法,该方法采用开管式热处理工艺方法,可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的N型薄膜材料调整到77K空穴浓度为0.5~10×10<Sup>16<...
焦翠灵王仍徐国庆林杏潮张莉萍邵秀华张可锋杜云辰陆液
文献传递
熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法
本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法,该方法的特征是:在已有的碲镉汞N型热处理方法前插入一种低汞压热处理方法,这种方法能有效消除与Hg、Cd过量相关的位错,使材料成品率和性能得到提高。本发明的最大优点在于...
萧继荣林杏潮龚海梅杨晓阳张莉萍陆荣邵秀华
文献传递
一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法
本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法,该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延,材料在77k温度下,金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm<Sup>2</Sup>/Vs,载流子浓度可以达到2×10<S...
王仍焦翠灵徐国庆杨晓阳张可峰张莉萍林杏潮陆液杜云辰邵秀华李向阳
文献传递
高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
本专利公开了一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管,该石英套管由99.99999%的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭,一端开口的圆柱体结构,开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
文献传递
共3页<123>
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