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邹德恕

作品数：201 被引量：269H指数：8
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 121篇期刊文章
  • 64篇专利
  • 12篇会议论文
  • 4篇科技成果

领域

  • 124篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 4篇机械工程
  • 3篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 57篇半导体
  • 47篇激光
  • 45篇激光器
  • 37篇二极管
  • 36篇发光
  • 32篇半导体激光
  • 30篇半导体激光器
  • 28篇发光二极管
  • 25篇探测器
  • 21篇晶体管
  • 19篇腔面
  • 19篇纳米
  • 17篇异质结
  • 17篇紫外探测
  • 15篇紫外探测器
  • 13篇面发射
  • 12篇增益
  • 12篇微机械
  • 11篇功率
  • 9篇双极晶体管

机构

  • 201篇北京工业大学
  • 6篇中国科学院
  • 3篇大连理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇第四军医大学
  • 1篇山东建筑大学
  • 1篇机电部
  • 1篇光电子有限公...

作者

  • 201篇邹德恕
  • 146篇沈光地
  • 55篇高国
  • 47篇徐晨
  • 47篇陈建新
  • 43篇杜金玉
  • 39篇邓军
  • 35篇李建军
  • 34篇廉鹏
  • 34篇郭霞
  • 28篇高志远
  • 23篇崔碧峰
  • 22篇刘莹
  • 20篇郭伟玲
  • 19篇韩军
  • 19篇张剑铭
  • 19篇董立闽
  • 18篇赵立欢
  • 16篇张洁
  • 14篇韩金茹

传媒

  • 16篇半导体技术
  • 14篇光电子．激光
  • 12篇Journa...
  • 11篇固体电子学研...
  • 10篇物理学报
  • 8篇北京工业大学...
  • 5篇半导体光电
  • 4篇传感器世界
  • 4篇红外与激光工...
  • 3篇量子电子学报
  • 3篇中国激光
  • 3篇光学学报
  • 3篇激光与红外
  • 2篇仪器仪表学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇仪表技术与传...
  • 2篇光电工程
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇中国机械工程

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 10篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 11篇2008
  • 13篇2007
  • 11篇2006
  • 25篇2005
  • 21篇2004
  • 22篇2003
  • 4篇2002
共 201 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氨敏半导体器件及其制造方法
一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的新型氨敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氨气测量管，加热电阻和温控二极管组成。该器件共四根电极引线，漏极和栅极共用一根；源极，加热电阻R<Sub>2</Sub>极和温控...
邹德恕王东凤高国陈建新
文献传递
隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
2005年
文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。
渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器被引量：1
2000年
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性以及 C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以 C为 P型掺杂剂的 Ga As/ Al Ga As/ In Ga As应变量子阱半导体激光器结构 ,置备了高性能 980 nm大功率半导体激光器。
廉鹏邹德恕高国殷涛陈昌华徐遵图沈光地马晓宇陈良惠
关键词：MOCVD半导体激光器气相外延
一种基于ZnO纳米线阵列的环境空气PM2.5颗粒物的质量传感器件及其制备方法
一种基于ZnO纳米线阵列的环境空气PM2.5颗粒物的质量传感器件及其制备方法，它涉及纳米技术与环境监测领域。本发明中，当环境气体流过ZnO纳米线阵列时，PM2.5颗粒附着在纳米线上，通过检测ZnO纳米线振动频率的改变，由...
李江江高志远邹德恕程顺波李慧敏薛晓玮王勋
文献传递
新型大功率双波长半导体激光器的研制
2005年
提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。
郭伟玲田咏桃李建军马丽娜鲁鹏程王婷邹德恕沈光地
关键词：大功率半导体激光器双波长隧道结
用于短波红外探测器的微透镜阵列制作被引量：4
2017年
采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等工艺进行了深入细致的实验研究,确定了最优的工艺参数,实现了球冠直径在(5.5±0.5)μm,曲率半径3μm的微透镜,且透镜有很好的均匀性和一致性,满足近红外探测器件的要求。
冯献飞邓军刘明李超慧邹德恕
关键词：微透镜阵列热熔
用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制被引量：1
2005年
超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术,包括有机溶液EPW和无机溶液KOH及KOH+IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统,分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜,并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性,为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础。
董典红徐晨邹德恕李兰杨道虹张剑铭阳启明沈光地
关键词：各向异性腐蚀
在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT被引量：4
1997年
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
邹德恕陈建新沈光地高国杜金玉张时明袁颖王东凤邓军W.X.NiG.V.Hansson
关键词：硅双极晶体管增益
纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性
纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性，涉及半导体技术领域。本发明以柔性ZnO纳米线阵列紫外探测器为示范性验证，研究衬底形貌对柔性电子器件机械应力作用下电学稳定性的影响。相对于平滑的有机薄膜，存在纹理结构的有机薄膜...
高志远赵立欢张洁陆利伟邹德恕
文献传递
微透镜光纤在半导体激光器中的应用研究被引量：8
2005年
对几种典型的半导体激光器与光纤的耦合特性进行分析,提出提高耦合效率所采用的微透镜光纤的结构。介绍熔拉型、化学蚀刻型、研磨抛光型、切削型、自聚焦光纤型和铸模型等微透镜光纤的制作原理和工艺以及目前达到的指标,并对各种形式的透镜光纤进行了评价。提出了提高耦合效率和失调容差、降低插损的新思路。
于海鹰邹德恕崔碧峰沈光地
关键词：微透镜透镜光纤
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