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郝幼申

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单刀双掷
  • 2篇单刀双掷开关
  • 2篇平面波导
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微机械开关
  • 2篇开关
  • 2篇机械开关
  • 2篇共平面波导
  • 2篇波导
  • 2篇分支线
  • 1篇有源
  • 1篇有源器件
  • 1篇砷化镓
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇半绝缘
  • 1篇背栅
  • 1篇背栅效应

机构

  • 4篇中国科学院上...

作者

  • 4篇郝幼申
  • 2篇张美圣
  • 2篇夏冠群
  • 2篇姚文澜
  • 2篇李小卫
  • 2篇程知群
  • 2篇王嘉宽
  • 1篇束为民
  • 1篇赵建龙
  • 1篇钱蓉
  • 1篇刘汝萍
  • 1篇程智群
  • 1篇翁建华
  • 1篇盛怀茂

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 2篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法
一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法，属于微电子机械系统领域。每个单刀双掷开关中共有由三条共平面波导，一条作为信号输入端，另二条和信号输入端相连形成一种一分为二的分支结构。每个分支线上各有一个电容和一个外加电压端。...
孙晓玮李小卫程知群王嘉宽郝幼申姚文澜
文献传递
半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
2000年
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小．结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大．
刘汝萍夏冠群赵建龙翁建华张美圣郝幼申
关键词：MESFET背栅效应砷化镓半绝缘
一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法
一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法,属于微电子机械系统领域。每个单刀双掷开关中共有由三条共平面波导,一条作为信号输入端,另二条和信号输入端相连形成一种一分为二的分支结构。每个分支线上各有一个电容和一个外加电压端。...
孙晓玮李小卫程知群王嘉宽郝幼申姚文澜
文献传递
AlGaInP/GaAs HBT功率放大器
夏冠群孙晓玮程智群束为民盛怀茂张美圣钱蓉郝幼申
材料为发射极制备的HBT作为微波功率放大器的有源器件。材料体系在所有与GaAs晶格匹配的材料体系中具有最大的价带不连续性（△EV），能有效抑制HBT器件工作时基极空穴的反向注入，改善结区和整个器件的温度特性，使器件有更高...
关键词：
关键词：功率放大器放大器有源器件
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