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文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 4篇沉积温度
  • 3篇铁电
  • 2篇导体
  • 2篇电性能
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻材料
  • 2篇异质结
  • 2篇有序表
  • 2篇铁电性
  • 2篇铁电性能
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格结构
  • 2篇基片
  • 2篇激光沉积
  • 2篇激光溅射
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基片
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体异质结
  • 2篇

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇郝昭
  • 4篇彭海兵
  • 4篇林媛
  • 4篇赵柏儒
  • 4篇许波
  • 2篇龚伟志
  • 2篇谢中

年份

  • 2篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇2000
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异,通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控,使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构,从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布,并实现...
赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
文献传递
一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
本发明涉及铁电-半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层,通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制,用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠,样品重复性好,获得的取向生长PZT...
赵柏儒林媛彭海兵郝昭许波
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一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异,通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控,使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构,从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序人布,并实现...
赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
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一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
本发明涉及铁电-半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层,通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制,用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠,样品重复性好,获得的取向生长PZT...
赵柏儒林媛彭海兵郝昭许波
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高温超导休、铁电体氧化物薄膜异质物量的研究
论文讨论了薄膜的制备、微观结构和生长机制,研究了超薄YBCO薄膜的超导电性及其有磁场下的行为,利用YPBCO做缓冲层和图覆盖层,厚度为一个原胞厚的YBCO薄膜的零电阻 温度为37K,在12T的平行磁场下R-T曲线未发现明...
郝昭
关键词:高温超导薄膜铁电薄膜
文献传递
共1页<1>
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